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参数资料
| 型号： | MUN2112T3 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | SC-59, 3 PIN |
| 文件页数： | 30/38页 |
| 文件大小： | 385K |
| 代理商： | MUN2112T3 |
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Reliability and Quality Assurance
9–20
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
UCL
LCL
UCL
LCL
CENTERLINE
A
B
C
B
A
B
C
B
A
B
C
B
A
B
C
B
A
ZONE A (+ 3 SIGMA)
ZONE B (+ 2 SIGMA)
ZONE C (+ 1 SIGMA)
ZONE C (– 1 SIGMA)
ZONE B (– 2 SIGMA)
ZONE A (– 3 SIGMA)
Figure 5. Control Chart Zones
Figure 6. One Point Outside Control Limit
Indicating Excessive Variability
Figure 7. Two Out of Three Points in Zone A or
Beyond Indicating Excessive Variability
Figure 8. Four Out of Five Points in Zone B or
Beyond Indicating Excessive Variability
Figure 9. Seven Out of Eight Points in Zone C or
Beyond Indicating Excessive Variability
SUMMARY
Motorola is committed to the use of STATISTICAL
PROCESS CONTROLS. These principles, used throughout
manufacturing have already resulted in many significant
improvements to the processes. Continued dedication to the
SPC culture will allow Motorola to reach the Six Sigma and
zero defect capability goals. SPC will further enhance the
commitment to TOTAL CUSTOMER SATISFACTION.
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
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| MUN2113T1G | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 SS BR XSTR PNP 50V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
| MUN2113T3 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-59 |
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