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参数资料
| 型号： | MUN2236T1G |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | LEAD FREE, CASE 318D-04, SC-59, 3 PIN |
| 文件页数： | 18/18页 |
| 文件大小： | 160K |
| 代理商： | MUN2236T1G |
MUN2211T1 Series
http://onsemi.com
9
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS - MUN2214T1
10
1
0.1
010
20
30
40
50
100
10
1
02
4
6
8
10
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
2
4
6
8
1015
20253035 404550
VR, REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)
V
in
,INPUT
VOL
TAGE
(VOL
TS)
I C
,COLLECT
OR
CURRENT
(mA)
h
FE
,DC
CURRENT
GAIN
Figure 17. VCE(sat) versus IC
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
020
40
60
80
V
CE(sat)
,MAXIMUM
COLLECT
OR
VOL
TAGE
(VOL
TS)
Figure 18. DC Current Gain
1
10
100
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 19. Output Capacitance
Figure 20. Output Current versus Input Voltage
Vin, INPUT VOLTAGE (VOLTS)
C
ob
,CAP
ACIT
ANCE
(pF)
Figure 21. Input Voltage versus Output Current
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
1
0.1
0.01
0.001
-25
°C
25
°C
TA =75°C
VCE = 10
300
250
200
150
100
50
0
2468
15
20 40
50 60 70 80
90
f = 1 MHz
lE = 0 V
TA = 25°C
TA =-25°C
25
°C
75
°C
IC/IB = 10
75
°C
25
°C
TA =-25°C
VO = 5 V
VO= 0.2 V
TA =-25°C
25
°C
75
°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
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