- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录98049 > MUN5233T3 (ON SEMICONDUCTOR) 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MUN5233T3 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | SC-70, 3 PIN |
| 文件页数： | 18/39页 |
| 文件大小： | 377K |
| 代理商： | MUN5233T3 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页当前第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页
Package Outline Dimensions
8–6
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS (continued)
CASE 419–02
SC–70/SOT–323
C
R
N
A
L
D
G
V
S
B
H
J
K
3
12
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
MILLIMETERS
INCHES
A
0.071
0.087
1.80
2.20
B
0.045
0.053
1.15
1.35
C
0.035
0.049
0.90
1.25
D
0.012
0.016
0.30
0.40
G
0.047
0.055
1.20
1.40
H
0.000
0.004
0.00
0.10
J
0.004
0.010
0.10
0.25
K
0.017 REF
0.425 REF
L
0.026 BSC
0.650 BSC
N
0.028 REF
0.700 REF
R
0.031
0.039
0.80
1.00
S
0.079
0.087
2.00
2.20
V
0.012
0.016
0.30
0.40
0.05 (0.002)
STYLE 3:
PIN 1. BASE
2. EMITTER
3. COLLECTOR
STYLE 4:
PIN 1. CATHODE
2. CATHODE
3. ANODE
STYLE 2:
PIN 1. ANODE
2. N.C.
3. CATHODE
STYLE 5:
PIN 1. ANODE
2. ANODE
3. CATHODE
STYLE 7:
PIN 1. BASE
2. EMITTER
3. COLLECTOR
STYLE 9:
PIN 1. ANODE
2. CATHODE
3. CATHODE–ANODE
STYLE 10:
PIN 1. CATHODE
2. ANODE
3. ANODE–CATHODE
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
DIM
A
MIN
MAX
MIN
MAX
MILLIMETERS
1.80
2.20
0.071
0.087
INCHES
B
1.15
1.35
0.045
0.053
C
0.80
1.10
0.031
0.043
D
0.10
0.30
0.004
0.012
G
0.65 BSC
0.026 BSC
H
–––
0.10
–––
0.004
J
0.10
0.25
0.004
0.010
K
0.10
0.30
0.004
0.012
N
0.20 REF
0.008 REF
S
2.00
2.20
0.079
0.087
V
0.30
0.40
0.012
0.016
B
0.2 (0.008) MM
12
3
A
G
V
S
H
C
N
J
K
65
4
–B–
D 6 PL
CASE 419B-01
SOT–363
STYLE 1:
PIN 1. EMITTER 2
2. BASE 2
3. COLLECTOR 1
4. EMITTER 1
5. BASE 1
6. COLLECTOR 2
STYLE 6:
PIN 1. ANODE 2
2. N/C
3. CATHODE 1
4. ANODE 1
5. N/C
6. CATHODE 2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MUN5231T3 | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MUN5214T3 | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MUN5216T3 | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MUN5311DW1T2 | 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MUN5313DW1T2 | 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MUN5234 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Dual Bias Resistor Transistors |
| MUN5234DW | 制造商:WEITRON 制造商全称:Weitron Technology 功能描述:Surface Mount Dual Bias Resistor Transistor |
| MUN5234DW1T1 | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT Dual RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
| MUN5234DW1T1G | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT Dual NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
| MUN5234T1 | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。