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参数资料
| 型号： | MUN5233T3 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | SC-70, 3 PIN |
| 文件页数： | 34/39页 |
| 文件大小： | 377K |
| 代理商： | MUN5233T3 |
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MUN5211T1 SERIES
2–772
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS — MUN5211T1
V
in
,INPUT
VOL
TAGE
(VOL
TS)
I C
,COLLECT
OR
CURRENT
(mA)
h
FE
,DC
CURRENT
GAIN
(NORMALIZED)
Figure 2. VCE(sat) versus IC
10
020
30
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
10
1
0.1
TA = –25°C
75
°C
25
°C
40
50
Figure 3. DC Current Gain
Figure 4. Output Capacitance
1
0.1
0.01
0.001
020
40
50
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
V
CE(sat)
,MA
X
IM
U
M
COLLECT
OR
V
OL
TA
G
E
(V
OL
TS)
1000
100
10
1
10
100
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
TA =75°C
25
°C
–25
°C
TA = –25°C
25
°C
Figure 5. Output Current versus Input Voltage
75
°C
25
°C
TA = –25°C
100
10
1
0.1
0.01
0.001
01
2
3
4
Vin, INPUT VOLTAGE (VOLTS)
56
78
9
10
Figure 6. Input Voltage versus Output Current
50
010
20
30
40
4
3
1
2
0
VR, REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)
C
ob
,CAP
ACIT
ANCE
(pF
)
75
°C
VCE = 10 V
f = 1 MHz
IE = 0 V
TA = 25°C
VO = 5 V
VO = 0.2 V
IC/IB = 10
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MUN5231T3 | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MUN5214T3 | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MUN5216T3 | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MUN5311DW1T2 | 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MUN5313DW1T2 | 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MUN5234 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Dual Bias Resistor Transistors |
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| MUN5234DW1T1G | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT Dual NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
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