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参数资料
| 型号： | MURB1620CTTRLPBF |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 8 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | D2PAK-3 |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 173K |
| 代理商： | MURB1620CTTRLPBF |
Bulletin PD-20718 rev. A 03/00
3
MUR1620CT, MURB1620CT, MURB1620CT-1
Fig.2-Typical Values Of Reverse Current
Vs. Reverse Voltage
Fig.1-Typical Forward Voltage Drop Characteristics
Fig. 4 - Max. Thermal Impedance ZthJC Characteristics
Forward Voltage Drop-V
FM(V)
Instantaneous
Forward
Current
-I
F(A)
Reverse Voltage-V
R (V)
Reverse Voltage-V
R(V)
Junction
Capacitance
-C
T
(p
F)
t1,Rectangular Pulse Duration (Seconds)
Thermal
Impedance
Z
thJC
(°C/W)
Fig. 3 - Typical Junction Capacitance
Vs. Reverse Voltage
0.1
1
10
100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
T = 175C
T = 150C
T = 25C
J
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
50
100
150
200
250
150C
125C
100C
25C
T = 175C
J
10
100
1000
1
10
100
1000
T = 25C
J
Reverse
Current
-I
R
(A)
0.01
0.1
1
10
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Single Pulse
(Thermal Resistance)
D = 0.50
D = 0.20
D = 0.10
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.01
2
t
1
t
P
DM
Notes:
1. Duty factor D = t1/t 2
2. Peak Tj = Pdm x ZthJC + Tc
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MURB820-1 | 8 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-262AA |
| MURF820 | 8 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220 |
| MURP20040CTG | 100 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| MURS120T3 | 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214BA |
| MURS120 | 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MURB1620CTTRR | 功能描述:整流器 200 Volt 16 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
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| MURB1620CTTRRPBF | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Ultrafast Rectifier, 2 x 8 A FRED Pt |
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| MURB1629-1PBF | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Ultrafast Rectifier |
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