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参数资料
| 型号： | MURB820CT-1TRLPBF |
| 厂商： | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 8 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-262AA |
| 封装： | LEAD FREE, TO-262, 3 PIN |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 316K |
| 代理商： | MURB820CT-1TRLPBF |
Bulletin PD-21085 08/05
MURB820PbF, MURB820-1PbF
Fig. 2 - Typical Values Of Reverse Current
Vs. Reverse Voltage
Fig. 1 - Typical Forward Voltage Drop Characteristics
Reverse Voltage - V
R (V)
Fig. 3 - Typical Junction Capacitance
Vs. Reverse Voltage
0.1
1
10
100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
T = 175C
T = 150C
T = 25C
J
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
50
100
150
200
250
150C
125C
100C
25C
T = 175C
J
10
100
1000
1
10
100
1000
T = 25C
J
Forward Voltage Drop - V
FM (V)
Instantaneous
Forward
Current
-
I
F
(A)
Reverse Voltage - V
R (V)
Junction
Capacitance
-
C
T
(p
F
)
Fig. 4 - Max. Thermal Impedance Z thJC Characteristics
t1, Rectangular Pulse Duration (Seconds)
Thermal
Impedance
Z
thJC
(°C/W)
Reverse
Current
-
I
R
(A)
0.01
0.1
1
10
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Single Pulse
(Thermal Resistance)
D = 0.50
D = 0.20
D = 0.10
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.01
2
t
1
t
P
DM
Notes:
1. Duty factor D = t1/ t2
2. Peak Tj = Pdm x ZthJC + Tc
Document Number: 94081
www.vishay.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MURB820CT-1TRR | 8 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-262AA |
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| MX1N6507 | UNIDIRECTIONAL, 8 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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