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参数资料
| 型号： | MURS160-E3/5BT |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 2 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 87K |
| 代理商： | MURS160-E3/5BT |
MURS140 & MURS160
Vishay General Semiconductor
Document Number: 88688
Revision: 27-Aug-07
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3
PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS in inches (millimeters)
Figure 3. Typical Instantaneous Forward Characteristics
Figure 4. Typical Reverse Leakage Characteristics
Instantaneous Forward Voltage (V)
0.01
0.1
10
1
100
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
Instantaneo
u
s
For
w
ard
C
u
rrent
(A)
0
T
J = 100 °C
T
J = 175 °C
T
J = 25 °C
60
040
20
100
80
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
0.001
0.01
1
0.1
10
100
Instantaneo
u
s
Re
v
erse
Leakage
C
u
rrent
(
A)
T
J = 100 °C
T
J = 175 °C
T
J = 25 °C
Figure 5. Typical Junction Capacitance
Reverse Voltage (V)
J
u
nction
Capacitance
(pF)
0.1
1
10
100
T
J = 25 °C
f = 1.0 MHz
V
sig = 50 mVp-p
Cathode Band
DO-214AA (SMB)
0.086 (2.20)
0.077 (1.95)
0.155 (3.94)
0.130 (3.30)
0.180 (4.57)
0.160 (4.06)
0.012 (0.305)
0.006 (0.152)
0.008 (0.2)
0 (0)
0.220 (5.59)
0.205 (5.21)
0.060 (1.52)
0.030 (0.76)
0.096 (2.44)
0.084 (2.13)
Mounting Pad Layout
0.086 (2.18) MIN.
0.060 (1.52) MIN.
0.085 (2.159) MAX.
0.220 REF.
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