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参数资料
| 型号： | MURS320E3 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 4 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AB |
| 封装： | LEAD FREE, PLASTIC, SMC, 2 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 299K |
| 代理商： | MURS320E3 |
www.vishay.com
2
Document Number 88689
09-Aug-05
MURS320
Vishay General Semiconductor
Electrical Characteristics
TA = 25 °C unless otherwise specified#
Notes:
(1) Pulse test: tp = 300 s, duty cycle ≤ 2 %
Thermal Characteristics
TA = 25 °C unless otherwise specified
Ratings and Characteristics Curves
(TA = 25 °C unless otherwise noted)
Parameter
Test condition
Symbol
MURS320
Unit
Maximum instantaneous
forward voltage (1)
at IF = 3.0 A,
at IF = 4.0 A,
at IF = 3.0 A,
TJ = 25 °C
TJ = 150 °C
VF
0.875
0.890
0.710
V
Maximum instantaneous
reverse current at rated DC
blocking voltage (1)
TJ = 25 °C
TJ = 150 °C
IR
5.0
150
A
Maximum reverse recovery
time
at IF = 0.5 A, IR = 1.0 A,
Irr = 0.25 A
trr
25
ns
Maximum reverse recovery
time
at IF = 1.0 A, di/dt = 50 A/s,
VR = 30 V, Irr = 10 % IRM
trr
35
ns
Maximum forward recovery
time
IF = 1.0 A, di/dt = 100 A/s,
Rec. to 1.0 V
tfr
25
ns
Parameter
Symbol
MURS320
Unit
Typical thermal resistance junction to ambient
RθJL
11
°C/W
Figure 1. Forward Current Derating Curve
0
4.0
6.0
8.0
0
25
50
75
100
125
150
175
2.0
A
v
er
age
F
o
rw
ard
Rectified
C
u
rrent
(A)
Lead Temperature (°C)
Figure 2. Maximum Non-Repetitive Peak Forward Surge Current
25
0
50
75
100
125
1
100
10
Number of Cycles at 60 Hz
Pe
a
k
F
o
rw
ard
S
u
rge
C
u
rrent
(A)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MV1N6507 | UNIDIRECTIONAL, 8 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE |
| MX1N6507 | UNIDIRECTIONAL, 8 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE |
| MV2111 | 47 pF, 30 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, TO-92 |
| MV409RLRB | VHF BAND, 29 pF, 20 V, SILICON, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, TO-92 |
| MV409ZL1 | VHF BAND, 29 pF, 20 V, SILICON, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| MURS320-E3/59T | 功能描述:整流器 200 Volt 3.0A 25ns 125 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
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| MURS320HE3/57T | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Surface Mount Ultrafast Plastic Rectifier |
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