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参数资料
| 型号： | MVDF1N05ER2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 50V 2A 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 50V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 300 毫欧 @ 1.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 12.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 330pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MMDF1N05E, MVDF1N05E
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
10
10 V
6V
8V
T J = 25 ° C
5V
10
V DS ≥ 10 V
- 55 ° C
25 ° C
8
6
4
4.5 V
4V
8
6
4
25 ° C
100 ° C
2
V GS = 3.5 V
2
0
0
2
4 6 8
10
0
0
1
100 ° C
2
- 55 ° C
3
4
5
6
7
8
0.5
V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
1.8
V GS , GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.4
0.3
V GS = 10 V
1.6
1.4
1.2
1
V GS = 10 V
I D = 1.5 A
0.2
100 ° C
25 ° C
0.8
0.6
0.1
- 55 ° C
0.4
0.2
0
0
2
4
6
8
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On ? Resistance versus Drain Current
I D = 1.5 A
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 4. On ? Resistance Variation with Temperature
1.2
V DS = V GS
I D = 1 mA
1.1
1
0.9
0.8
0
2
3
4 5 6 7 8
9
10
0.7
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
V GS , GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 5. On Resistance versus
Gate ? To ? Source Voltage
http://onsemi.com
3
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 6. Gate Threshold Voltage Variation
with Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MVDF2C03HDR2G | MOSFET COMPL 30V 4.1A 8-SOIC |
| MVGSF1N03LT1G | MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT-23-3 |
| MXR-505-915DR-B | MODULE TRANSCEIVER 915MHZ 24DIP |
| NB-59S-09S-0 | NEBULIZER UNIT 48V 30W |
| NB12KC0101KBA | THERM NTC 100OHM 10% 0805 SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MVDF2C03HDR2G | 功能描述:MOSFET COMPL 30V 4.1A 8-SOIC RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:* 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| MVDILE | 制造商:EATON MOELLER 功能描述:MECHANICAL INTERLOCK; Accessory Type:Mechanical Interlock; For Use With:Moeller DIL E Series Relays ;RoHS Compliant: Yes |
| MV-DILE | 制造商:Moeller Electric Corporation 功能描述: |
| MVDILM | 制造商:Moeller Electric Corporation 功能描述: |
| MVDK-2510 | 功能描述:固定接线端子 PCBVertDblLvl 5.08mm RoHS:否 制造商:Phoenix Contact 产品:Fixed Terminal Blocks 类型:Wire to Board 节距:5.08 mm 位置/触点数量:2 线规量程:26-16 电流额定值:13.5 A 电压额定值:250 V 安装风格:Through Hole 安装角:Straight 端接类型:Screw 触点电镀: |
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