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参数资料
| 型号： | MWI100-12E8 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E3 |
| 标准包装： | 5 |
| IGBT 类型： | NPT |
| 配置： | 三相反相器 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1200V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.5V @ 15V，100A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 165A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 1.4mA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 7.4nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 640W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | E3 |
| 供应商设备封装： | E3 |
MWI 100-12 E8
MKI 100-12 E8
I C
300
A
250
T VJ = 25°C
V GE = 17 V
13 V
15 V
11 V
I C
300
A
250
T VJ = 125°C
V GE = 17 V
15 V
13 V
200
150
200
150
11 V
100
50
0
9V
100
50
0
9V
0
1
2
3
4
V
5
0
1
2
3
4
V
5
V CE
Fig. 1 Typ. output characteristics
300
300
V CE
Fig. 2 Typ. output characteristics
A
250
V CE = 20 V
A
250
I C
200
150
100
I F
200
150
100
T VJ = 125°C
T VJ = 125°C
50
50
0
T VJ = 25°C
0
T VJ = 25°C
5
6
7
8
9
V
10
0
1
2
3
V
V GE
Fig. 3 Typ. transfer characteristics
V F
Fig. 4 Typ. forward characteristics
of free wheeling diode
20
V
V CE = 600 V
90
300
ns
I C
= 150 A
A
250
V GE
15
I RM
60
t rr
200
t rr
10
T VJ = 125°C
150
5
30
V R = 600 V
I F = 120 A
100
50
I RM
0
0
200
400
600
800 nC 1000
0
0
200
400
600
MWI100-12E8
μ A/
800 s 1000
0
Q G
Fig. 5 Typ. turn on gate charge
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2007 IXYS All rights reserved
-di/dt
Fig. 6 Typ. turn off characteristics
of free wheeling diode
20070912a
3-4
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