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参数资料
| 型号： | MWI100-12E8 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E3 |
| 标准包装： | 5 |
| IGBT 类型： | NPT |
| 配置： | 三相反相器 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1200V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.5V @ 15V，100A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 165A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 1.4mA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 7.4nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 640W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | E3 |
| 供应商设备封装： | E3 |
MWI 100-12 E8
MKI 100-12 E8
40
400
20
1000
mJ
td(on)
ns
mJ
ns
E on
30
20
V CE = 600 V
V GE = ±15 V
R G = 12 Ω
T VJ = 125°C
300
200
t
E off
16
12
8
V CE = 600 V
V GE = ±15 V
R G = 12 Ω
T VJ = 125°C
td(off)
800
600
400
t
10
Eon
tr
100
4
Eoff
tf
200
0
0
0
0
0
50
100
150
A
200
0
50
100
150
A
200
I C
Fig. 7 Typ. turn on energy and switching
times versus collector current
I C
Fig. 8 Typ. turn off energy and switching
times versus collector current
16
mJ
400
ns
16
mJ
td(off)
1000
ns
E on 12
td(on)
300
t
E off 12
750
t
Eoff
I C
8
4
Eon
V CE = 600 V
V GE = ±15 V
= 100 A
T VJ = 125°C
200
100
8
4
V CE = 600 V
V GE = ±15 V
I C = 100 A
T VJ = 125°C
500
250
tr
tf
0
0
5
10
15
Ω
0
20
0
0
5
10
15
0
Ω 20
250
R G
Fig. 9 Typ. turn on energy and switching
times versus gate resistor
1
R G
Fig.10 Typ. turn off energy and switching
times versus gate resistor
A
K/W
diode
I CM
200
150
0.1
Z thJC
IGBT
0.01
100
50
0
R G = 12 Ω
T VJ = 125°C
0.001
0.0001
single pulse
MWI100-12E8
0
200
400
600
800 1000 1200 1400 V
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
s 10
V CE
Fig. 11 Reverse biased safe operating area
RBSOA
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2007 IXYS All rights reserved
t
Fig. 12 Typ. transient thermal impedance
20070912a
4-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MWI150-12T8T | 功能描述:分立半导体模块 150 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
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