- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录629 > MWI450-12E9 (IXYS)MOD IGBT SIXPACK E+ Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | MWI450-12E9 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOD IGBT SIXPACK E+ |
| 标准包装： | 1 |
| IGBT 类型： | NPT |
| 配置： | 三相 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1200V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.4V @ 15V，450A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 640A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 1mA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 33nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2200W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 是 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | E+ |
| 供应商设备封装： | E+ |
MWI 450-12 E9
IGBT Modules
Sixpack
I C80 = 440 A
V CES = 1200 V
V CE(sat) typ. = 2.2 V
15
2
20
4
25
6
28
29
16
17
13
11/12
21
22
18
9/10
26
27
23
7/8
IGBTs
14
1
19
3
24
5
See outline drawing for pin arrangement
Features
E72873
Symbol
V CES
Conditions
T VJ = 25°C to 125°C
Maximum Ratings
1200 V
? NPT 3 IGBT technology
? low saturation voltage
? low switching losses
V GES
± 20
V
? square RBSOA, no latch up
I C25
I C80
RBSOA
t SC
(SCSOA)
P tot
T C = 25°C
T C = 80°C
R G = 2.7 ? ; T VJ = 125°C
Clamped inductive load; L = 100 μH
V CE = 900 V; V GE = ± 15 V; R G = 2.7 ?
T VJ = 125°C; non-repetitive; V CEmax < V CES
T C = 25°C
640
440
I CM = 900
V CEK < V CES
10
2.2
A
A
A
μs
kW
? high short circuit capability
? positive temperature coefficient for
easy parallelling
? MOS input, voltage controlled
? ultra fast free wheeling diodes
? solderable pins for PCB mounting
? package with copper base plate
Advantages
Symbol
Conditions
Characteristic Values
(T VJ = 25 ° C, unless otherwise specified)
? space savings
? reduced protection circuits
? package designed for wave soldering
min.
typ.
max.
Typical Applications
V CE(sat)
V GE(th)
I CES
I C = 450 A; V GE = 15 V
I C = 18 mA; V GE = V CE
V CE = V CES ; V GE = 0 V
T VJ = 25°C
T VJ = 125°C
T VJ = 25°C
4.5
2.2
2.5
2.4
6.5
1
V
V
V
mA
? AC motor control
? AC servo and robot drives
? power supplies
T VJ = 125°C
6
21
mA
I GES
t d(on)
t r
t d(off)
t f
E on
E off
C ies
Q Gon
R thJC
V CE = 0 V; V GE = ± 20 V
Inductive load, T VJ = 125°C
V CE = 600 V; I C = 450 A
V GE = ±15 V; R G = 2.7 ?
V CE = 25 V; V GE = 0 V; f = 1 MHz
V CE = 600 V; V GE = 15 V; I C = 450 A
190
116
475
100
35
47
33
3.3
600
0.057
nA
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
nF
μC
K/W
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2010 IXYS All rights reserved
20100401a
1-5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MWI50-06A7T | MOD IGBT SIXPACK RBSOA 600V E2 |
| MWI50-12A7T | MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E2 |
| MWI50-12T7T | MOD IGBT SIX-PACK RBSOA E2 |
| MWI60-06G6K | MOD IGBT SIX-PACK RBSOA E1 |
| MWI60-12T6K | MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E1 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MWI451-17E9 | 功能描述:IGBT 模块 6-PK IGBT MODULE IN E9-PK 1700V 475A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| MWI45-12T6K | 功能描述:分立半导体模块 45 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| MWI50-06A7 | 功能描述:分立半导体模块 50 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| MWI50-06A7T | 功能描述:IGBT 模块 50 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| MWI50-12A5 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:IGBT Modules Sixpack |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。