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参数资料
| 型号： | MWI450-12E9 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOD IGBT SIXPACK E+ |
| 标准包装： | 1 |
| IGBT 类型： | NPT |
| 配置： | 三相 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1200V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.4V @ 15V，450A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 640A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 1mA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 33nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2200W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 是 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | E+ |
| 供应商设备封装： | E+ |
MWI 450-12 E9
Diodes
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
I t
A s
I F80
I FRM
2
T C = 80°C
t p = 1 ms
T VJ = 125°C; t = 10 ms; V R = 0 V
450
900
35000
A
A
2
Symbol
Conditions
Characteristic Values
(T VJ = 25 ° C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
V F
I RM
I F = 450 A; V GE = 0 V; T VJ = 25°C
I F = 450 A; di F /dt = 3500 A/μs;
200
2.2
V
A
T VJ = 125°C; V R = 800 V
R thJC
Temperature Sensor NTC
0.075
K/W
Symbol
Conditions
Characteristic Values
min.
typ.
max.
R 25
T = 25°C
4.75
5.0
5.25
k ?
B 25/50
Module
3375
K
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
T VJ
T JM
T stg
V ISO
M d
operating
I ISOL < 1 mA; 50/60 Hz
Mounting torque (M5)
Terminal connection torque (M6)
-40...+125
+150
-40...+125
3400
3-6
3-6
°C
°C
°C
V~
Nm
Nm
Symbol
Conditions
Characteristic Values
min.
typ.
max.
R therm-chip *
d S
d A
R thCH
Weight
)
Resistance terminal to chip
Creepage distance on surface
Strike distance in air
with heatsink compound
12.7
10
0.55
0.01
900
m ?
mm
mm
K/W
g
* V = V CEsat + 2x R therm-chip · I C resp. V = V F + 2x R · I F
)
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2010 IXYS All rights reserved
20100401a
2-5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MWI50-06A7T | MOD IGBT SIXPACK RBSOA 600V E2 |
| MWI50-12A7T | MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E2 |
| MWI50-12T7T | MOD IGBT SIX-PACK RBSOA E2 |
| MWI60-06G6K | MOD IGBT SIX-PACK RBSOA E1 |
| MWI60-12T6K | MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E1 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MWI451-17E9 | 功能描述:IGBT 模块 6-PK IGBT MODULE IN E9-PK 1700V 475A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| MWI45-12T6K | 功能描述:分立半导体模块 45 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| MWI50-06A7 | 功能描述:分立半导体模块 50 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| MWI50-06A7T | 功能描述:IGBT 模块 50 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| MWI50-12A5 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:IGBT Modules Sixpack |
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