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参数资料
| 型号： | MWI450-12E9 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOD IGBT SIXPACK E+ |
| 标准包装： | 1 |
| IGBT 类型： | NPT |
| 配置： | 三相 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1200V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.4V @ 15V，450A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 640A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 1mA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 33nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2200W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 是 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | E+ |
| 供应商设备封装： | E+ |
MWI 450-12 E9
800
T J = 25°C
800
T J = 125°C
600
400
11 V
13 V
15 V
17 V
19 V
9V
600
400
11 V
13 V
15 V
17 V
19 V
9V
200
200
0
0
2
V CE [V]
4
6
0
0
2
V CE [V]
4
6
800
600
400
Fig. 1 Typ. output characteristics
800
600
400
Fig. 2 Typ. output characteristics
200
T J = 125°C
200
T J = 125°C
0
6
T J = 25°C
8
V GE [V]
10
12
0
0.0
0.5
1.0
T J = 25°C
1.5 2.0
V F [V]
2.5
3.0
3.5
Fig. 3 Typ. transfer characteristics
Fig. 4 Typ. forward characteristics
of free wheeling diode
15
400
6000
10
5
V CE = 600 V
I C = 100 A
300
T J = 125°C
V R = 600 V
I F = 300 A
6.8 Ω
3.3 Ω
5000
4000
12 Ω
0
-5
200
100
I RM
18 Ω
3000
2000
-10
18 Ω
t rr
1000
0
-15
0
1
2
3
0
1000
12 Ω
2000
6.8 Ω
3000
3.3 Ω
4000
Q G [μC]
Fig. 5 Typ. turn on gate charge
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2010 IXYS All rights reserved
-di/dt [A/μs]
Fig. 6 Typ. turn off characteristics
of free wheeling diode
20100401a
4-5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| MWI50-12A5 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:IGBT Modules Sixpack |
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