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参数资料
| 型号： | MWI50-12T7T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOD IGBT SIX-PACK RBSOA E2 |
| 标准包装： | 6 |
| IGBT 类型： | 沟道 |
| 配置： | 三相反相器 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1200V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.15V @ 15V，50A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 80A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 4mA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 3.5nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 270W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 是 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | E2 |
| 供应商设备封装： | E2 |
MWI 50-12T7T
Temperature Sensor NTC
Ratings
Symbol
R 25
B 25/50
Definitions
resistance
Conditions
T C = 25°C
min.
4.75
typ.
5.0
3375
max.
5.25
Unit
k W
K
Module
Ratings
Symbol
Definitions
Conditions
min.
typ.
max.
Unit
T VJ
T VJM
T stg
V ISOL
CTI
M d
d S
d A
R pin-chip
operating temperature
max. virtual junction temperature
storage temperature
isolation voltage
comparative tracking index
mounting torque (M5)
creep distance on surface
strike distance through air
resistance pin to chip
I ISOL < 1 mA; 50/60 Hz
-40
-40
2.7
6
6
5
125
150
125
2500
200
3.3
°C
°C
°C
V~
Nm
mm
mm
m W
R thCH
Weight
thermal resistance case to heatsink
with heatsink compound
0.02
180
K/W
g
Equivalent Circuits for Simulation
I
V 0
R 0
Ratings
Symbol
V 0
R 0
V 0
R 0
Definitions
IGBT
Diode
Conditions
T1 - T6
D1 - D6
T VJ = 125°C
T VJ = 125°C
min.
typ.
1.0
20
1.1
14.2
max.
Unit
V
m W
V
m W
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2010 IXYS All rights reserved
20100831d
3-7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MWI60-06G6K | MOD IGBT SIX-PACK RBSOA E1 |
| MWI60-12T6K | MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E1 |
| MWI75-06A7T | MOD IGBT SIXPACK RBSOA 600V E2 |
| MWI75-12A8 | MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E3 |
| MWI75-12T7T | IGBT MOD TRENCH SIX-PACK E3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MWI60-06G6K | 功能描述:分立半导体模块 60 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| MWI60-12T6K | 功能描述:分立半导体模块 60 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| MWI75-06A7 | 功能描述:分立半导体模块 75 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| MWI75-06A7T | 功能描述:IGBT 模块 75 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| MWI75-12A5 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:IGBT Modules Sixpack |
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