参数资料
型号: MWI50-12T7T
厂商: IXYS
文件页数: 6/7页
文件大小: 0K
描述: MOD IGBT SIX-PACK RBSOA E2
标准包装: 6
IGBT 类型: 沟道
配置: 三相反相器
电压 - 集电极发射极击穿(最大): 1200V
Vge, Ic时的最大Vce(开): 2.15V @ 15V,50A
电流 - 集电极 (Ic)(最大): 80A
电流 - 集电极截止(最大): 4mA
Vce 时的输入电容 (Cies): 3.5nF @ 25V
功率 - 最大: 270W
输入: 标准
NTC 热敏电阻:
安装类型: 底座安装
封装/外壳: E2
供应商设备封装: E2
MWI 50-12T7T
Inverter T1 - T6
120
14
T VJ = 125°C
100
80
12
10
V R = 600 V
120 A
I F
60
Q rr 8
60 A
[A]
40
20
T VJ = 125°C
T VJ = 25°C
[μC] 6
4
30 A
2
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
600
700
800
900 1000 1100 1200 1300
90
V F [V]
F ig. 7 Typ. Forward current versus V F
700
di F /dt [A/μs]
Fig. 8 Typ. reverse recovery charge Q rr vs. di/dt
80
70
60
T VJ = 125°C
V R = 600 V
120 A
60 A
600
500
T VJ = 125°C
V R = 600 V
I RR
50
30 A
t rr
400
120 A
[A]
40
30
20
10
[ns] 300
200
100
60 A
30 A
0
600
700
800
900 1000 1100 1200 1300
0
600
700
800
900 1000 1100 1200 1300
di F /dt [A/μs]
Fig. 9 Typ. peak reverse current I RM vs. di/dt
di F /dt [A/μs]
Fig. 10 Typ. recovery time t rr versus di/dt
4.0
3.2
T VJ = 125°C
V R = 600 V
120 A
12
10
V CE = 600 V
V GE = ±15 V
R G = 18 Ω
E rec
2.4
60 A
Q rr
8
6
T VJ = 125°C
[mJ] 1.6
0.8
30 A
[μC]
4
2
0.0
600
700
800
900 1000 1100 1200 1300
0
0
10
20 30
40
50 60
70
80 90 100 110
di F /dt [A/μs]
Fig. 11 Typ. recovery energy E rec versus di/dt
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2010 IXYS All rights reserved
I F [A]
Fig. 12 Typ.reverse recovery charge Q rr versus I F
20100831d
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