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参数资料
| 型号： | MWI50-12T7T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 7/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOD IGBT SIX-PACK RBSOA E2 |
| 标准包装： | 6 |
| IGBT 类型： | 沟道 |
| 配置： | 三相反相器 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1200V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.15V @ 15V，50A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 80A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 4mA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 3.5nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 270W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 是 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | E2 |
| 供应商设备封装： | E2 |
MWI 50-12T7T
100000
NTC
1
Module
Diode
IGBT
10000
R
[ Ω ]
1000
Z thJC
[K/W]
0.1
100
25
50
75
100
125
150
0.01
0.001
0.01
0.1
1
10
T C [°C]
F ig. 13 Typ. NTC resistance vs. temperature
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2010 IXYS All rights reserved
t p [s]
Fig. 14 Typ. transient thermal impedance
20100831d
7-7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MWI60-06G6K | MOD IGBT SIX-PACK RBSOA E1 |
| MWI60-12T6K | MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E1 |
| MWI75-06A7T | MOD IGBT SIXPACK RBSOA 600V E2 |
| MWI75-12A8 | MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E3 |
| MWI75-12T7T | IGBT MOD TRENCH SIX-PACK E3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MWI60-06G6K | 功能描述:分立半导体模块 60 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| MWI60-12T6K | 功能描述:分立半导体模块 60 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| MWI75-06A7 | 功能描述:分立半导体模块 75 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| MWI75-06A7T | 功能描述:IGBT 模块 75 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| MWI75-12A5 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:IGBT Modules Sixpack |
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