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参数资料
| 型号： | N08L63W2AB27I |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 70NS 48BGA |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 14/Apr/2010 |
| 标准包装： | 220 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 异步 |
| 存储容量： | 4M (256K x 16) |
| 速度： | 70ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 48-LFBGA |
| 供应商设备封装： | 48-BGA（6x8） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 766-1040 |
N08L63W2A
Timing Test Conditions
Item
Timing
Input Pulse Level
Input Rise and Fall Time
Input and Output Timing Reference Levels
Output Load
Operating Temperature
0.1V CC to 0.9 V CC
5ns
0.5 V CC
CL = 30pF
-40 to +85 o C
Item
Read Cycle Time
Address Access Time (Random Access)
Address Access Time (Page Mode)
Chip Enable to Valid Output
Output Enable to Valid Output
Byte Select to Valid Output
Chip Enable to Low-Z output
Output Enable to Low-Z Output
Byte Select to Low-Z Output
Symbol
t RC
t AA
t AAP
t CO
t OE
t LB , t UB
t LZ
t OLZ
t LBZ , t UBZ
2.3 - 3.6 V
Min. Max.
85
85
30
85
30
85
10
5
10
2.7 - 3.6 V
Min. Max.
70
70
25
70
25
70
10
5
10
Units
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Chip Disable to High-Z Output
Output Disable to High-Z Output
Byte Select Disable to High-Z Output
t HZ
t OHZ
t LBHZ , t UBHZ
0
0
0
20
20
20
0
0
0
20
20
20
ns
ns
ns
Output Hold from Address Change
Write Cycle Time
Chip Enable to End of Write
Address Valid to End of Write
Byte Select to End of Write
Write Pulse Width
Address Setup Time
Write Recovery Time
Write to High-Z Output
Data to Write Time Overlap
Data Hold from Write Time
End Write to Low-Z Output
t OH
t WC
t CW
t AW
t LBW , t UBW
t WP
t AS
t WR
t WHZ
t DW
t DH
t OW
5
85
50
50
50
40
0
0
40
0
5
20
5
70
50
50
50
40
0
0
40
0
5
20
ns
ns
ns
ns
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ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Rev. 8 | Page 5 of 10 | www.onsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| N1JP1212 | PANEL INNER 10.25X10.25" GREY |
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| N25S818HAS21I | IC SRAM 256KBIT 16MHZ 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| N08L63W2AB27IT | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512K × 16 bit |
| N08L63W2AB7I | 功能描述:静态随机存取存储器 8MB 3V LOW PWR 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| N08L63W2AB7IT | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512K × 16 bit |
| N08M1618L1A | 制造商:AMI 制造商全称:AMI 功能描述:8Mb Ultra-Low Power Asynchronous Medical CMOS SRAM 512K 】 16 bit |
| N08M1618L1AB | 制造商:AMI 制造商全称:AMI 功能描述:8Mb Ultra-Low Power Asynchronous Medical CMOS SRAM 512K 】 16 bit |
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