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参数资料
| 型号： | N08L63W2AB27I |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 70NS 48BGA |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 14/Apr/2010 |
| 标准包装： | 220 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 异步 |
| 存储容量： | 4M (256K x 16) |
| 速度： | 70ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 48-LFBGA |
| 供应商设备封装： | 48-BGA（6x8） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 766-1040 |
N08L63W2A
Timing of Read Cycle (CE1 = OE = V IL , WE = CE2 = V IH )
t RC
Address
t AA, t AAP
t OH
Data Out
Previous Data Valid
Data Valid
Timing Waveform of Read Cycle (WE=V IH )
t RC
Address
t AA, t AAP
t HZ
CE1
t CO
CE2
t LZ
t OE
t OHZ
OE
t OLZ
t LB, t UB
LB, UB
t LBLZ, t UBLZ
t LBHZ, t UBHZ
Data Out
High-Z
Rev. 8 | Page 6 of 10 | www.onsemi.com
Data Valid
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| N1JP1212 | PANEL INNER 10.25X10.25" GREY |
| N252-012 | PANEL PATCH CAT6 568B 12PORT |
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| N25S818HAS21I | IC SRAM 256KBIT 16MHZ 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| N08L63W2AB27IT | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512K × 16 bit |
| N08L63W2AB7I | 功能描述:静态随机存取存储器 8MB 3V LOW PWR 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| N08L63W2AB7IT | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512K × 16 bit |
| N08M1618L1A | 制造商:AMI 制造商全称:AMI 功能描述:8Mb Ultra-Low Power Asynchronous Medical CMOS SRAM 512K 】 16 bit |
| N08M1618L1AB | 制造商:AMI 制造商全称:AMI 功能描述:8Mb Ultra-Low Power Asynchronous Medical CMOS SRAM 512K 】 16 bit |
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