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参数资料
型号： NAND04GR4B3AN1
厂商： STMICROELECTRONICS
元件分类： PROM
英文描述： 256M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48
封装： 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
文件页数： 16/59页
文件大小： 998K
代理商： NAND04GR4B3AN1
23/59
NAND512-B, NAND01G-B, NAND02G-B, NAND04G-B, NAND08G-B
Figure 13. Random Data Input During Sequential Data Input
I/O
Address
Inputs
ai08664
Data Intput
80h
Cmd
Code
Address
Inputs
Data Input
85h
5 Add cycles
Main Area
Spare
Area
Col Add 1,2
Row Add 1,2,3
Cmd
Code
2 Add cycles
Main Area
Spare
Area
Col Add 1,2
RB
Busy
tBLBH2
(Program Busy time)
SR0
10h
70h
Confirm
Code
Read Status Register
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PDF描述
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NAND04GW3B2BN6E 功能描述:闪存 NAND 4 Gb RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel
NAND04GW3B2BN6F 功能描述:闪存 4 GB 2112B 1056 Word Pg 1.8V/3V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel
NAND04GW3B2BNDE 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Trays
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