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参数资料
| 型号： | NAND04GR4B3AN1 |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 256M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| 封装： | 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48 |
| 文件页数： | 3/59页 |
| 文件大小： | 998K |
| 代理商： | NAND04GR4B3AN1 |
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NAND512-B, NAND01G-B, NAND02G-B, NAND04G-B, NAND08G-B
Figure 6. FBGA63 Connections, x8 devices (Top view through package)
AI09376
I/O7
WP
I/O4
I/O3
NC
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VDD
NC
H
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NC
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DU
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DU
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10
9
R
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PRL
NC
VSS
DU
M
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K
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND02GW3B3BZB1F | 256M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NAND04GW3B2AN6E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 4GBIT 512MX8 25US 48TSOP - Trays |
| NAND04GW3B2BE06 | 功能描述:闪存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| NAND04GW3B2BN6E | 功能描述:闪存 NAND 4 Gb RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| NAND04GW3B2BN6F | 功能描述:闪存 4 GB 2112B 1056 Word Pg 1.8V/3V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| NAND04GW3B2BNDE | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Trays |
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