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参数资料
| 型号： | NAND04GR4B3AN1 |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 256M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| 封装： | 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48 |
| 文件页数： | 59/59页 |
| 文件大小： | 998K |
| 代理商： | NAND04GR4B3AN1 |
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NAND512-B, NAND01G-B, NAND02G-B, NAND04G-B, NAND08G-B
Figure 3. Logic Diagram
Table 3. Signal Names
AI09372b
W
I/O8-I/O15, x16
VDD
NAND Flash
E
VSS
WP
AL
CL
RB
R
I/O0-I/O7, x8/x16
PRL
I/O8-15
Data Input/Outputs for x16 devices
I/O0-7
Data Input/Outputs, Address Inputs,
or Command Inputs for x8 and x16
devices
AL
Address Latch Enable
CL
Command Latch Enable
E
Chip Enable
R
Read Enable
RB
Ready/Busy (open-drain output)
W
Write Enable
WP
Write Protect
PRL
Power-Up Read Enable, Lock/Unlock
Enable
VDD
Supply Voltage
VSS
Ground
NC
Not Connected Internally
DU
Do Not Use
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND02GW3B3BZB1F | 256M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63 |
| NAND02GW3B3BN1F | 256M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| NAND02GW3B3CN6 | 256M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| NAND04GR3B3BN1F | 512M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| NAND512W3B3BN1E | 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| NAND04GW3B2BN6F | 功能描述:闪存 4 GB 2112B 1056 Word Pg 1.8V/3V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| NAND04GW3B2BNDE | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Trays |
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