- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录224596 > NAND08GR4B3AZB6 (NUMONYX) 512M X 16 FLASH 1.8V PROM, 25000 ns, PBGA63 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | NAND08GR4B3AZB6 |
| 厂商： | NUMONYX |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 512M X 16 FLASH 1.8V PROM, 25000 ns, PBGA63 |
| 封装： | 9.50 X 12 MM,1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, TFBGA-63 |
| 文件页数： | 46/59页 |
| 文件大小： | 1154K |
| 代理商： | NAND08GR4B3AZB6 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页当前第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页
NAND512-B, NAND01G-B, NAND02G-B, NAND04G-B, NAND08G-B
50/59
Figure 33. Block Erase AC Waveform
Note: Address cycle 3 is required for 2Gb, 4Gb and 8Gb devices only.
Figure 34. Reset AC Waveform
D0h
60h
SR0
70h
ai08038b
tWHBL
tWLWL
tBLBH3
Block Erase
Setup Command
Block Erase
CL
E
W
AL
R
I/O
RB
Confirm
Code
Read Status Register
Block Address Input
(Erase Busy time)
(Write Cycle time)
Add.
cycle 1
Add.
cycle 3
Add.
cycle 2
W
R
I/O
RB
tBLBH4
AL
CL
FFh
ai08043
(Reset Busy time)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND256W4A2AZA6E | 16M X 16 FLASH 3V PROM, 12000 ns, PBGA55 |
| NCP303LSN41T1 | 1-CHANNEL POWER SUPPLY SUPPORT CKT, PDSO5 |
| NCS6416DWG | 8-CHANNEL, VIDEO MULTIPLEXER, PDSO20 |
| NCS6S4803L5C | 1-OUTPUT 5 W DC-DC REG PWR SUPPLY MODULE |
| NCT050C-20.0000 | CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 20 MHz, TTL OUTPUT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NAND08GW3B2AN6E | 功能描述:闪存 4 GBit 2112 Byte 1056 WP 1.8v/3v RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| NAND08GW3B2AN6F | 功能描述:闪存 4 GB 2112B 1056 Word Pg 1.8V/3V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| NAND08GW3B2BN6E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND & S.MEDIA FLASH - Trays |
| NAND08GW3B2CN6E | 功能描述:闪存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| NAND08GW3B2CN6F | 功能描述:闪存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。