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参数资料
| 型号： | NAND08GR4B3AZB6 |
| 厂商： | NUMONYX |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 512M X 16 FLASH 1.8V PROM, 25000 ns, PBGA63 |
| 封装： | 9.50 X 12 MM,1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, TFBGA-63 |
| 文件页数： | 48/59页 |
| 文件大小： | 1154K |
| 代理商： | NAND08GR4B3AZB6 |
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NAND512-B, NAND01G-B, NAND02G-B, NAND04G-B, NAND08G-B
52/59
PACKAGE MECHANICAL
Figure 38. TSOP48 - 48 lead Plastic Thin Small Outline, 12 x 20 mm, Package Outline
Note: Drawing is not to scale.
Table 26. TSOP48 - 48 lead Plastic Thin Small Outline, 12 x 20 mm, Package Mechanical Data
Symbol
millimeters
inches
Typ
Min
Max
Typ
Min
Max
A
1.200
0.0472
A1
0.100
0.050
0.150
0.0039
0.0020
0.0059
A2
1.000
0.950
1.050
0.0394
0.0374
0.0413
B
0.220
0.170
0.270
0.0087
0.0067
0.0106
C
0.100
0.210
0.0039
0.0083
CP
0.080
0.0031
D1
12.000
11.900
12.100
0.4724
0.4685
0.4764
E
20.000
19.800
20.200
0.7874
0.7795
0.7953
E1
18.400
18.300
18.500
0.7244
0.7205
0.7283
e
0.500
–
0.0197
–
L
0.600
0.500
0.700
0.0236
0.0197
0.0276
L1
0.800
0.0315
α
3°
0°
5°
3°
0°
5°
TSOP-G
B
e
DIE
C
L
A1
α
E1
E
A
A2
1
24
48
25
D1
L1
CP
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND256W4A2AZA6E | 16M X 16 FLASH 3V PROM, 12000 ns, PBGA55 |
| NCP303LSN41T1 | 1-CHANNEL POWER SUPPLY SUPPORT CKT, PDSO5 |
| NCS6416DWG | 8-CHANNEL, VIDEO MULTIPLEXER, PDSO20 |
| NCS6S4803L5C | 1-OUTPUT 5 W DC-DC REG PWR SUPPLY MODULE |
| NCT050C-20.0000 | CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 20 MHz, TTL OUTPUT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NAND08GW3B2AN6E | 功能描述:闪存 4 GBit 2112 Byte 1056 WP 1.8v/3v RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| NAND08GW3B2AN6F | 功能描述:闪存 4 GB 2112B 1056 Word Pg 1.8V/3V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| NAND08GW3B2BN6E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND & S.MEDIA FLASH - Trays |
| NAND08GW3B2CN6E | 功能描述:闪存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| NAND08GW3B2CN6F | 功能描述:闪存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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