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参数资料
| 型号： | NAND08GR4B3AZB6 |
| 厂商： | NUMONYX |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 512M X 16 FLASH 1.8V PROM, 25000 ns, PBGA63 |
| 封装： | 9.50 X 12 MM,1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, TFBGA-63 |
| 文件页数： | 52/59页 |
| 文件大小： | 1154K |
| 代理商： | NAND08GR4B3AZB6 |
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NAND512-B, NAND01G-B, NAND02G-B, NAND04G-B, NAND08G-B
56/59
Figure 42. LFBGA63 9.5x12mm - 6x8 active ball array, 0.80mm pitch, Package Outline
Table 30. LFBGA63 9.5x12mm - 6x8 active ball array, 0.80mm pitch, Package Mechanical Data
Symbol
millimeters
inches
Typ
Min
Max
Typ
Min
Max
A
1.400
0.0551
A1
0.250
0.0098
A2
0.800
0.0315
b
0.450
0.400
0.500
0.0177
0.0157
0.0197
D
8.500
8.400
8.600
0.3346
0.3307
0.3386
D1
4.000
0.1575
D2
7.200
0.2835
ddd
0.100
0.0039
E
15.000
14.900
15.100
0.5906
0.5866
0.5945
E1
5.600
0.2205
E2
8.800
0.3465
e
0.800
–
0.0315
–
FD
2.250
0.0886
FD1
0.650
0.0256
FE
4.700
0.1850
FE1
3.100
0.1220
SD
0.400
–
0.0157
–
SE
0.400
–
0.0157
–
E
D
eb
SD
SE
A2
A1
A
BGA-Z59
ddd
FD1
D2
E2
e
FE
BALL "A1"
FE1
e
E1
D1
FD
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND256W4A2AZA6E | 16M X 16 FLASH 3V PROM, 12000 ns, PBGA55 |
| NCP303LSN41T1 | 1-CHANNEL POWER SUPPLY SUPPORT CKT, PDSO5 |
| NCS6416DWG | 8-CHANNEL, VIDEO MULTIPLEXER, PDSO20 |
| NCS6S4803L5C | 1-OUTPUT 5 W DC-DC REG PWR SUPPLY MODULE |
| NCT050C-20.0000 | CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 20 MHz, TTL OUTPUT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NAND08GW3B2AN6E | 功能描述:闪存 4 GBit 2112 Byte 1056 WP 1.8v/3v RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| NAND08GW3B2AN6F | 功能描述:闪存 4 GB 2112B 1056 Word Pg 1.8V/3V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| NAND08GW3B2BN6E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND & S.MEDIA FLASH - Trays |
| NAND08GW3B2CN6E | 功能描述:闪存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| NAND08GW3B2CN6F | 功能描述:闪存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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