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参数资料
| 型号： | NAND128W4A1AZA6T |
| 厂商： | NUMONYX |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 8M X 16 FLASH 3V PROM, 10000 ns, PBGA55 |
| 封装： | 8 X 10 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, VFBGA-55 |
| 文件页数： | 15/56页 |
| 文件大小： | 882K |
| 代理商： | NAND128W4A1AZA6T |
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NAND128-A, NAND256-A, NAND512-A, NAND01G-A
22/56
Figure 14. Read Block Diagrams
Note: 1. Highest address depends on device density.
Figure 15. Sequential Row Read Operations
Figure 16. Sequential Row Read Block Diagrams
AI07596
A0-A7
A9-A26(1)
Area A
(1st half Page)
Read A Command, X8 Devices
Area B
(2nd half Page)
Area C
(Spare)
Area A
(main area)
Area C
(Spare)
A0-A7
Read A Command, X16 Devices
A0-A7
Read B Command, X8 Devices
Area A
(1st half Page)
Area B
(2nd half Page)
Area C
(Spare)
A0-A3 (x8)
A0-A2 (x16)
Read C Command, X8/x16 Devices
Area A
Area A/ B
Area C
(Spare)
A9-A26(1)
A4-A7 (x8), A3-A7 (x16) are don't care
I/O
RB
Address Inputs
ai07597
1st
Page Output
Busy
tBLBH1
(Read Busy time)
00h/
01h/ 50h
Command
Code
2nd
Page Output
Nth
Page Output
Busy
tBLBH1
AI07598
Block
Area A
(1st half Page)
Read A Command, x8 Devices
Area B
(2nd half Page)
Area C
(Spare)
Area A
(main area)
Area C
(Spare)
Read A Command, x16 Devices
Read B Command, x8 Devices
Read C Command, x8/x16 Devices
Area A
Area A/ B
Area C
(Spare)
Area A
(1st half Page)
Area B
(2nd half Page)
Area C
(Spare)
1st page
2nd page
Nth page
1st page
2nd page
Nth page
1st page
2nd page
Nth page
1st page
2nd page
Nth page
Block
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND128W4A3AN6E | 8M X 16 FLASH 3V PROM, 10000 ns, PDSO48 |
| NAND128W4A1AV6 | 8M X 16 FLASH 3V PROM, 10000 ns, PDSO48 |
| NAND512R3M0BZBE | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA107 |
| NAND512W3A2SN6E | 64M X 8 FLASH 3V PROM, PDSO48 |
| NAND99R3M2AZBB5E | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA107 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NAND16GAH0HZA5E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND EMMC - Trays |
| NAND16GAH0HZA5F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND EMMC - Tape and Reel |
| NAND16GAHAPZO6E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:AUTOMOTIVE - Trays |
| NAND16GW3B6DPA6E | 功能描述:IC FLASH 16GBIT 114LFBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
| NAND16GW3B6DPA6F | 功能描述:IC FLASH 16GBIT 114LFBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
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