参数资料
型号: NAND128W4A1AZA6T
厂商: NUMONYX
元件分类: PROM
英文描述: 8M X 16 FLASH 3V PROM, 10000 ns, PBGA55
封装: 8 X 10 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, VFBGA-55
文件页数: 33/56页
文件大小: 882K
代理商: NAND128W4A1AZA6T
39/56
NAND128-A, NAND256-A, NAND512-A, NAND01G-A
Figure 27. Data Input Latch AC Waveforms
Figure 28. Sequential Data Output after Read AC Waveforms
Note: 1. CL = Low, AL = Low, W = High.
tWHCLH
CL
E
AL
W
I/O
tALLWL
tWLWL
tWLWH
tWHEH
tWLWH
Data In 0
Data In 1
Data In
Last
tDVWH
tWHDX
tDVWH
tWHDX
tDVWH
tWHDX
ai08030
(Data Setup time)
(Data Hold time)
(ALSetup time)
(CL Hold time)
(E Hold time)
E
ai08031
R
I/O
RB
tRLRL
tRLQV
tRHRL
tRLQV
Data Out
tRHQZ
tBHRL
tRLQV
tRHQZ
tEHQZ
(Read Cycle time)
(R Accesstime)
(R High Holdtime)
相关PDF资料
PDF描述
NAND128W4A3AN6E 8M X 16 FLASH 3V PROM, 10000 ns, PDSO48
NAND128W4A1AV6 8M X 16 FLASH 3V PROM, 10000 ns, PDSO48
NAND512R3M0BZBE SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA107
NAND512W3A2SN6E 64M X 8 FLASH 3V PROM, PDSO48
NAND99R3M2AZBB5E SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA107
相关代理商/技术参数
参数描述
NAND16GAH0HZA5E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND EMMC - Trays
NAND16GAH0HZA5F 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND EMMC - Tape and Reel
NAND16GAHAPZO6E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:AUTOMOTIVE - Trays
NAND16GW3B6DPA6E 功能描述:IC FLASH 16GBIT 114LFBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040
NAND16GW3B6DPA6F 功能描述:IC FLASH 16GBIT 114LFBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040