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参数资料
| 型号： | NAND128W4A2BZA1F |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 8M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA55 |
| 封装： | 8 X 10 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, VFBGA-55 |
| 文件页数： | 16/57页 |
| 文件大小： | 916K |
| 代理商： | NAND128W4A2BZA1F |
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NAND128-A, NAND256-A, NAND512-A, NAND01G-A
Figure 13. Read (A,B,C) Operations
Figure 14. Read Block Diagrams
Note: 1. Highest address depends on device density.
CL
E
W
AL
R
I/O
RB
00h/
01h/ 50h
ai07595
Busy
Command
Code
Address Input
Data Output (sequentially)
tBLBH1
(read)
AI07596
A0-A7
A9-A26(1)
Area A
(1st half Page)
Read A Command, X8 Devices
Area B
(2nd half Page)
Area C
(Spare)
Area A
(main area)
Area C
(Spare)
A0-A7
Read A Command, X16 Devices
A0-A7
Read B Command, X8 Devices
Area A
(1st half Page)
Area B
(2nd half Page)
Area C
(Spare)
A0-A3 (x8)
A0-A2 (x16)
Read C Command, X8/x16 Devices
Area A
Area A/ B
Area C
(Spare)
A9-A26(1)
A4-A7 (x8), A3-A7 (x16) are don't care
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| NAND16GAHAPZO6E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:AUTOMOTIVE - Trays |
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