- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录189002 > NAND128W4A2BZA1F (STMICROELECTRONICS) 8M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA55 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | NAND128W4A2BZA1F |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 8M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA55 |
| 封装： | 8 X 10 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, VFBGA-55 |
| 文件页数： | 29/57页 |
| 文件大小： | 916K |
| 代理商： | NAND128W4A2BZA1F |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页当前第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页
35/57
NAND128-A, NAND256-A, NAND512-A, NAND01G-A
Table 18. DC Characteristics, 1.8V Devices
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
IDD1
Operating
Current
Sequential
Read
tRLRL minimum
E=VIL, IOUT = 0 mA
-
8
15
mA
IDD2
Program
-
8
15
mA
IDD3
Erase
-
8
15
mA
IDD5
Stand-By Current (CMOS)
128Mb, 256Mb, 512Mb devices
E=VDD-0.2,
WP=0/VDD
-
10
50
A
Stand-By Current (CMOS)
512Mb and 1Gb Dual Die devices
-
20
100
A
ILI
Input Leakage Current
VIN= 0 to VDDmax
-
±10
A
ILO
Output Leakage Current
VOUT= 0 to VDDmax
-
±10
A
VIH
Input High Voltage
-
VDD-0.4
-
VDD+0.3
V
VIL
Input Low Voltage
-
-0.3
-
0.4
V
VOH
Output High Voltage Level
IOH = -100A
VDD-0.1
-
V
VOL
Output Low Voltage Level
IOL = 100A
-
0.1
V
IOL (RB)
Output Low Current (RB)
VOL = 0.2V
3
4
mA
VLKO
VDD Supply Voltage (Erase and
Program lockout)
-
1.5
V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND512W3A0AZA1E | 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63 |
| NAND512W3A2BN1E | 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| NAND512W3A0AV1E | 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| NAND128R3A0CV6T | 16M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| NAND512W4A0AV1F | 32M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NAND16GAH0HZA5E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND EMMC - Trays |
| NAND16GAH0HZA5F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND EMMC - Tape and Reel |
| NAND16GAHAPZO6E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:AUTOMOTIVE - Trays |
| NAND16GW3B6DPA6E | 功能描述:IC FLASH 16GBIT 114LFBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
| NAND16GW3B6DPA6F | 功能描述:IC FLASH 16GBIT 114LFBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。