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参数资料
| 型号： | NAND512W3A0AN1 |
| 厂商： | NUMONYX |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| 封装： | 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48 |
| 文件页数： | 49/57页 |
| 文件大小： | 916K |
| 代理商： | NAND512W3A0AN1 |
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NAND128-A, NAND256-A, NAND512-A, NAND01G-A
PART NUMBERING
Table 28. Ordering Information Scheme
Devices are shipped from the factory with the memory content bits, in valid blocks, erased to ’1’.
For further information on any aspect of this device, please contact your nearest ST Sales Office.
Example:
NAND512R3A
0
A ZA
1
T
Device Type
NAND = NAND Flash Memory
Density
128 = 128Mb
256 = 256Mb
512 = 512Mb
01G = 1Gb
Operating Voltage
R = VDD = 1.7 to 1.95V
W = VDD = 2.7 to 3.6V
Bus Width
3 = x8
4 = x16
Family Identifier
A = 528 Bytes/ 264 Word Page
Device Options
0 = No Options
2 = Chip Enable Don’t Care Enabled
Product Version
A = First Version
B = Second Version
C = Third Version
Package
N = TSOP48 12 x 20mm (all devices)
V = USOP48 12 x 17 x 0.65mm (128Mbit, 256Mbit and 512Mbit devices)
ZA = VFBGA55 8 x 10 x 1mm, 6x8 ball array, 0.8mm pitch (128Mbit and 256Mbit devices)
ZB = TFBGA55 8 x 10 x 1.2mm, 6x8 ball array, 0.8mm pitch (512Mbit Dual Die devices)
ZA = VFBGA63 9 x 11 x 1mm, 6x8 ball array, 0.8mm pitch (512Mbit devices)
ZB = TFBGA63 9 x 11 x 1.2mm, 6x8 ball array, 0.8mm pitch (1Gbit Dual Die devices)
Temperature Range
1 = 0 to 70 °C
6 = –40 to 85 °C
Option
blank = Standard Packing
T = Tape & Reel Packing
E = Lead Free Package, Standard Packing
F = Lead Free Package, Tape & Reel Packing
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND512W3A0CZB6 | 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA55 |
| NAND128W4A0AZA1F | 8M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA55 |
| NAND128W4A2BZA1F | 8M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA55 |
| NAND512W3A0AZA1E | 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63 |
| NAND512W3A2BN1E | 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NAND512W3A0AN6 | 功能描述:闪存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| NAND512W3A0AN6E | 功能描述:闪存 2.7-3.6V 512M(64Mx8) RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| NAND512W3A0AN6F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 512MBIT 64MX8 12US 48TSOP - Tape and Reel |
| NAND512W3A0AV6E | 功能描述:IC FLASH 512MBIT 48WSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
| NAND512W3A2BE06 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:512 MBIT NAND FLASH MEMORY WAFER |
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