- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录189002 > NAND512W3A2BN1E (STMICROELECTRONICS) 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | NAND512W3A2BN1E |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| 封装： | 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-48 |
| 文件页数： | 11/57页 |
| 文件大小： | 916K |
| 代理商： | NAND512W3A2BN1E |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页当前第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页
19/57
NAND128-A, NAND256-A, NAND512-A, NAND01G-A
COMMAND SET
All bus write operations to the device are interpret-
ed by the Command Interface. The Commands
are input on I/O0-I/O7 and are latched on the rising
edge of Write Enable when the Command Latch
Enable signal is high. Device operations are se-
lected by writing specific commands to the Com-
mand
Register.
The
two-step
command
sequences for program and erase operations are
imposed to maximize data security.
The
Commands
are
summarized
in
Table 9. Commands
Note: 1. The bus cycles are only shown for issuing the codes. The cycles required to input the addresses or input/output data are not shown.
2. Any undefined command sequence will be ignored by the device.
Command
Bus Write Operations(1)
Command accepted
during busy
1st CYCLE
2nd CYCLE
3rd CYCLE
Read A
00h
-
Read B
01h(2)
-
Read C
50h
-
Read Electronic Signature
90h
-
Read Status Register
70h
-
Yes
Page Program
80h
10h
-
Copy Back Program
00h
8Ah
10h
Block Erase
60h
D0h
-
Reset
FFh
-
Yes
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND512W3A0AV1E | 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| NAND128R3A0CV6T | 16M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| NAND512W4A0AV1F | 32M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| NAND512W4A0AV1 | 32M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| NAND512W4A0BZA1F | 32M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NAND512W3A2BN6E | 功能描述:闪存 2.7-3.6V 512M(64Mx8) RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| NAND512W3A2BN6F | 功能描述:闪存 NAND 512 MEG RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| NAND512W3A2BZA6E | 功能描述:闪存 MEDIA FLSH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| NAND512W3A2CE06 | 功能描述:闪存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| NAND512W3A2CN6E | 功能描述:闪存 512 MBIT MEM ARRAY NAND FLASH MEMORY RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。