- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录189002 > NAND512W3A2BN1E (STMICROELECTRONICS) 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | NAND512W3A2BN1E |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| 封装： | 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-48 |
| 文件页数： | 44/57页 |
| 文件大小： | 916K |
| 代理商： | NAND512W3A2BN1E |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页当前第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页
49/57
NAND128-A, NAND256-A, NAND512-A, NAND01G-A
Figure 39. VFBGA55 8 x 10mm - 6x8 active ball array, 0.80mm pitch, Package Outline
Note: Drawing is not to scale
Table 24. VFBGA55 8 x 10mm - 6x8 ball array, 0.80mm pitch, Package Mechanical Data
Symbol
millimeters
inches
Typ
Min
Max
Typ
Min
Max
A1.05
0.041
A1
0.25
0.010
A2
0.70
0.028
b
0.45
0.40
0.50
0.018
0.016
0.020
D
8.00
7.90
8.10
0.315
0.311
0.319
D1
4.00
0.157
D2
5.60
0.220
ddd
0.10
0.004
E
10.00
9.90
10.10
0.394
0.390
0.398
E1
5.60
0.220
E2
8.80
0.346
e0.80–
–
0.031
–
FD
2.00
0.079
FD1
1.20
0.047
FE
2.20
0.087
FE1
0.60
0.024
SD
0.40
0.016
SE
0.40
0.016
D1
D
e
b
SD
BGA-Z61
ddd
A2
A1
A
SE
E2
FE1
E1
E
D2
FE
FD1
FD
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND512W3A0AV1E | 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| NAND128R3A0CV6T | 16M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| NAND512W4A0AV1F | 32M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| NAND512W4A0AV1 | 32M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| NAND512W4A0BZA1F | 32M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NAND512W3A2BN6E | 功能描述:闪存 2.7-3.6V 512M(64Mx8) RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| NAND512W3A2BN6F | 功能描述:闪存 NAND 512 MEG RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| NAND512W3A2BZA6E | 功能描述:闪存 MEDIA FLSH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| NAND512W3A2CE06 | 功能描述:闪存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| NAND512W3A2CN6E | 功能描述:闪存 512 MBIT MEM ARRAY NAND FLASH MEMORY RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。