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参数资料
| 型号： | NAND512W3A2BN1E |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| 封装： | 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-48 |
| 文件页数： | 43/57页 |
| 文件大小： | 916K |
| 代理商： | NAND512W3A2BN1E |
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NAND128-A, NAND256-A, NAND512-A, NAND01G-A
48/57
Figure 38. USOP48 – lead Plastic Ultra Thin Small Outline,12 x 17mm, Package Outline
Note: Drawing not to scale.
Table 23. USOP48 – lead Plastic Ultra Thin Small Outline, 12 x 17mm, Package Mechanical Data
Symbol
millimeters
inches
Typ
Min
Max
Typ
Min
Max
A
0.48
0.65
0.019
0.026
A1
0.00
0.10
0.000
0.004
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0.52
0.48
0.56
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b
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c
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D1
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ddd
0.06
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E
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E1
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–
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–
L
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–
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–
q0
5
0
5
WSOP-A
b
e
DIE
c
A1
θ
E1
E
A
A2
1
24
48
25
D1
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L1
L
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| NAND512W3A2BZA6E | 功能描述:闪存 MEDIA FLSH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| NAND512W3A2CE06 | 功能描述:闪存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| NAND512W3A2CN6E | 功能描述:闪存 512 MBIT MEM ARRAY NAND FLASH MEMORY RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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