参数资料
| 型号： | NB3N551DG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC CLK BUFFER 1:4 180MHZ 8-SOIC |
| 标准包装： | 98 |
| 类型： | 扇出缓冲器（分配） |
| 电路数： | 1 |
| 比率 - 输入:输出： | 1:4 |
| 差分 - 输入:输出： | 无/无 |
| 输入： | LVCMOS，LVTTL |
| 输出： | LVCMOS，LVTTL |
| 频率 - 最大： | 180MHz |
| 电源电压： | 3 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1115 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NB3N551DG-ND NB3N551DGOS |
NB3N551
http://onsemi.com
2
Table 1. OE, OUTPUT ENABLE FUNCTION
OE
Function
0
Disable
1
Enable
Table 2. PIN DESCRIPTION
Pin #
Name
Type
Description
1
ICLK
(LV)CMOS/(LV)TTL Input
Clock Input. Internal pull-up resistor.
2
Q1
(LV)CMOS/(LV)TTL Output
Clock Output 1
3
Q2
(LV)CMOS/(LV)TTL Output
Clock Output 2
4
Q3
(LV)CMOS/(LV)TTL Output
Clock Output 3
5
Q4
(LV)CMOS/(LV)TTL Output
Clock Output 4
6
GND
Power
Negative supply voltage; Connect to ground, 0 V
7
VDD
Power
Positive supply voltage (3.0 V to 5.5 V)
8
OE
(LV)CMOS/(LV)TTL Input
Output Enable for the clock outputs. Outputs are enabled when HIGH or when left
open; OE pin has internal pullup resistor. Threestates outputs when LOW.
EP
Thermal Exposed Pad
(DFN8 only) Thermal exposed pad must be connected to a sufficient thermal
conduit. Electrically connect to the most negative supply (GND) or leave uncon-
nected, floating open.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| NB3N551DR2G | IC CLK BUFFER 1:4 180MHZ 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NB3N551DR2G | 功能描述:时钟缓冲器 1:4 CLOCK RoHS:否 制造商:Texas Instruments 输出端数量:5 最大输入频率:40 MHz 传播延迟（最大值）: 电源电压-最大:3.45 V 电源电压-最小:2.375 V 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:LLP-24 封装:Reel |
| NB3N551MNR4G | 功能描述:时钟缓冲器 1:4 CLOCK RoHS:否 制造商:Texas Instruments 输出端数量:5 最大输入频率:40 MHz 传播延迟（最大值）: 电源电压-最大:3.45 V 电源电压-最小:2.375 V 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:LLP-24 封装:Reel |
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