参数资料
| 型号： | NB3N551DG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC CLK BUFFER 1:4 180MHZ 8-SOIC |
| 标准包装： | 98 |
| 类型： | 扇出缓冲器（分配） |
| 电路数： | 1 |
| 比率 - 输入:输出： | 1:4 |
| 差分 - 输入:输出： | 无/无 |
| 输入： | LVCMOS，LVTTL |
| 输出： | LVCMOS，LVTTL |
| 频率 - 最大： | 180MHz |
| 电源电压： | 3 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1115 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NB3N551DG-ND NB3N551DGOS |
NB3N551
http://onsemi.com
3
Table 3. MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Condition 1
Condition 2
Rating
Units
VDD
Positive Power Supply
GND = 0 V
7.0
V
VI/VO
Input/Output Voltage
t ≤ 1.5 ns
GND–1.5 ≤ VI/VO ≤ VDD+1.5
V
TA
Operating Temperature Range, Industrial
≥ 40 to ≤ +85
°C
Tstg
Storage Temperature Range
65 to +150
°C
qJA
Thermal Resistance (JunctiontoAmbient)
0 lfpm
500 lfpm
SOIC8
190
130
°C/W
qJC
Thermal Resistance (JunctiontoCase)
(Note 1)
SOIC8
41 to 44
°C/W
qJA
Thermal Resistance (JunctiontoAmbient)
0 lfpm
500 lfpm
DFN8
129
84
°C/W
qJC
Thermal Resistance (JunctiontoCase)
(Note 1)
DFN8
35 to 40
°C/W
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the
Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect
device reliability.
1. JEDEC standard multilayer board 2S2P (2 signal, 2 power)
Table 4. ATTRIBUTES
Characteristic
Value
ESD Protection
Human Body Model
Machine Model
> 4 kV
> 200 V
Moisture Sensitivity, Indefinite Time Out of Drypack (Note 2)
Level 1
Flammability Rating
Oxygen Index: 28 to 34
UL94 code V0 @ 0.125 in
Transistor Count
531 Devices
Meets or Exceeds JEDEC Standard EIA/JESD78 IC Latchup Test
2. For additional Moisture Sensitivity information, refer to Application Note AND8003/D.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LTC1663IMS8#TR | IC DAC 10BIT R-R MICROPWR 8MSOP |
| MC100LVEP11DR2G | IC CLOCK BUFFER 1:2 3GHZ 8-SOIC |
| MC100EP11DR2G | IC CLOCK BUFFER 1:2 3GHZ 8-SOIC |
| VI-B4R-MX | CONVERTER MOD DC/DC 7.5V 75W |
| NB3N551DR2G | IC CLK BUFFER 1:4 180MHZ 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NB3N551DR2G | 功能描述:时钟缓冲器 1:4 CLOCK RoHS:否 制造商:Texas Instruments 输出端数量:5 最大输入频率:40 MHz 传播延迟（最大值）: 电源电压-最大:3.45 V 电源电压-最小:2.375 V 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:LLP-24 封装:Reel |
| NB3N551MNR4G | 功能描述:时钟缓冲器 1:4 CLOCK RoHS:否 制造商:Texas Instruments 输出端数量:5 最大输入频率:40 MHz 传播延迟（最大值）: 电源电压-最大:3.45 V 电源电压-最小:2.375 V 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:LLP-24 封装:Reel |
| NB3N5573 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:3.3V, Crystal - To- HCSL Clock Generator |
| NB3N5573_08 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:3.3V, Crystal - To- HCSL Clock Generator |
| NB3N5573DTG | 功能描述:锁相环 - PLL XTAL TO HCSL CLOCK GENERATOR RoHS:否 制造商:Silicon Labs 类型:PLL Clock Multiplier 电路数量:1 最大输入频率:710 MHz 最小输入频率:0.002 MHz 输出频率范围:0.002 MHz to 808 MHz 电源电压-最大:3.63 V 电源电压-最小:1.71 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:QFN-36 封装:Tray |
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