参数资料
| 型号： | NB3N551DG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC CLK BUFFER 1:4 180MHZ 8-SOIC |
| 标准包装： | 98 |
| 类型： | 扇出缓冲器（分配） |
| 电路数： | 1 |
| 比率 - 输入:输出： | 1:4 |
| 差分 - 输入:输出： | 无/无 |
| 输入： | LVCMOS，LVTTL |
| 输出： | LVCMOS，LVTTL |
| 频率 - 最大： | 180MHz |
| 电源电压： | 3 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1115 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NB3N551DG-ND NB3N551DGOS |
NB3N551
http://onsemi.com
4
Symbol
Characteristic
Min
Typ
Max
Unit
IDD
Power Supply Current @ 135 MHz, No Load, VDD = 3.3 V
20
40
mA
VOH
Output HIGH Voltage – IOH = 25 mA, VDD = 3.3 V
2.4
V
VOL
Output LOW Voltage – IOL = 25 mA
0.4
V
VOH
Output HIGH Voltage – IOH = 12 mA (CMOS level)
VDD 0.4
V
VIH, ICLK
Input HIGH Voltage, ICLK
(VDD/2)+0.7
3.8
V
VIL, ICLK
Input LOW Voltage, ICLK
(VDD/2)0.7
V
VIH, OE
Input HIGH Voltage, OE
2.0
VDD
V
VIL, OE
Input LOW Voltage, OE
0
0.8
V
ZO
Nominal Output Impedance
20
W
RPU
Input Pullup Resistor, OE
220
kW
CIN
Input Capacitance, OE
5.0
pF
IOS
Short Circuit Current
± 50
mA
Symbol
Characteristic
Min
Typ
Max
Unit
IDD
Power Supply Current @ 135 MHz, No Load, VDD = 5.0 V
50
95
mA
VOH
Output HIGH Voltage – IOH = 35 mA
2.4
V
VOL
Output LOW Voltage – IOL = 35 mA
0.4
V
VOH
Output HIGH Voltage – IOH = 12 mA (CMOS level)
VDD – 0.4
V
VIH, ICLK
Input HIGH Voltage, ICLK
(VDD/2) + 1
5.5
V
VIL, ICLK
Input LOW Voltage, ICLK
(VDD/2) 1
V
VIH, OE
Input HIGH Voltage, OE
2.0
VDD
V
VIL, OE
Input LOW Voltage, OE
0
0.8
V
ZO
Nominal Output Impedance
20
W
RPU
Input Pullup Resistor, OE
220
kW
CIN
Input Capacitance, OE
5.0
pF
IOS
Short Circuit Current
±80
mA
Symbol
Characteristic
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
fin
Input Frequency
180
MHz
tjitter (f)
RMS Phase Jitter (Integrated 12 kHz 20 MHz)
fcarrier = 25 MHz
fcarrier = 50 MHz
43
16
fs
tjitter (pd)
Period Jitter (RMS, 1s)
2.0
ps
tr/tf
Output rise and fall times; 0.8 V to 2.0 V
0.5
1.0
ns
tpd
Propagation Delay, CLK to Qn, 0 180 MHz,
(Note 4)
1.5
3.0
6.0
ns
tskew
OutputtoOutput Skew; (Note 5)
50
160
ps
3. Outputs loaded with external RL = 33W series resistor and CL = 15 pF to GND. Duty cycle out = duty in. A 0.01 mF decoupling capacitor
should be connected between VDD and GND. A 33 W series terminating resistor may be used on each clock output if the trace is longer than
1 inch.
4. Measured with railtorail input clock.
5. Measured on rising edges at VDD ÷ 2.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LTC1663IMS8#TR | IC DAC 10BIT R-R MICROPWR 8MSOP |
| MC100LVEP11DR2G | IC CLOCK BUFFER 1:2 3GHZ 8-SOIC |
| MC100EP11DR2G | IC CLOCK BUFFER 1:2 3GHZ 8-SOIC |
| VI-B4R-MX | CONVERTER MOD DC/DC 7.5V 75W |
| NB3N551DR2G | IC CLK BUFFER 1:4 180MHZ 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NB3N551DR2G | 功能描述:时钟缓冲器 1:4 CLOCK RoHS:否 制造商:Texas Instruments 输出端数量:5 最大输入频率:40 MHz 传播延迟（最大值）: 电源电压-最大:3.45 V 电源电压-最小:2.375 V 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:LLP-24 封装:Reel |
| NB3N551MNR4G | 功能描述:时钟缓冲器 1:4 CLOCK RoHS:否 制造商:Texas Instruments 输出端数量:5 最大输入频率:40 MHz 传播延迟（最大值）: 电源电压-最大:3.45 V 电源电压-最小:2.375 V 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:LLP-24 封装:Reel |
| NB3N5573 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:3.3V, Crystal - To- HCSL Clock Generator |
| NB3N5573_08 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:3.3V, Crystal - To- HCSL Clock Generator |
| NB3N5573DTG | 功能描述:锁相环 - PLL XTAL TO HCSL CLOCK GENERATOR RoHS:否 制造商:Silicon Labs 类型:PLL Clock Multiplier 电路数量:1 最大输入频率:710 MHz 最小输入频率:0.002 MHz 输出频率范围:0.002 MHz to 808 MHz 电源电压-最大:3.63 V 电源电压-最小:1.71 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:QFN-36 封装:Tray |
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