参数资料
| 型号： | NB6N11SMNG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC CLK BUFFER TRANSLA 1:2 16-QFN |
| 标准包装： | 123 |
| 系列： | AnyLevel™ ECLinPS MAX™ |
| 类型： | 扇出缓冲器（分配），变换器 |
| 电路数： | 1 |
| 比率 - 输入:输出： | 1:2 |
| 差分 - 输入:输出： | 是/是 |
| 输入： | CML，LVCMOS，LVDS，LVPECL，LVTTL |
| 输出： | LVDS |
| 频率 - 最大： | 2GHz |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-VFQFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 16-QFN（3x3） |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1115 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NB6N11SMNG-ND NB6N11SMNGOS |
NB6N11S
http://onsemi.com
3
Table 2. ATTRIBUTES
Characteristics
Value
ESD Protection
Human Body Model
Machine Model
Charged Device Model
> 2 kV
> 200 V
> 1 kV
Moisture Sensitivity, Indefinite Time Out of Drypack (Note 2)
Pb Pkg
PbFree Pkg
QFN16
1
Flammability Rating
Oxygen Index: 28 to 34
UL 94 V0 @ 0.125 in
Transistor Count
225 Devices
Meets or exceeds JEDEC Spec EIA/JESD78 IC Latchup Test
2. For additional information, see Application Note AND8003/D.
Table 3. MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Condition 1
Condition 2
Rating
Unit
VCC
Positive Power Supply
GND = 0 V
3.8
V
VIN
Positive Input
GND = 0 V
VIN ≤ VCC
3.8
V
IIN
Input Current Through RT (50 W Resistor)
Static
Surge
35
70
mA
IOSC
Output Short Circuit Current
LinetoLine (Q to Q)
LinetoEnd (Q or Q to GND)
Q or Q
Q to Q to GND
Continuous
12
24
mA
TA
Operating Temperature Range
QFN16
40 to +85
°C
Tstg
Storage Temperature Range
65 to +150
°C
qJA
Thermal Resistance (JunctiontoAmbient) (Note 3)
0 lfpm
500 lfpm
QFN16
41.6
35.2
°C/W
qJC
Thermal Resistance (JunctiontoCase)
1S2P (Note 3)
QFN16
4.0
°C/W
Tsol
Wave Solder
Pb
PbFree
265
°C
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the
Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect
device reliability.
3. JEDEC standard multilayer board 1S2P (1 signal, 2 power) with 8 filled thermal vias under exposed pad.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MC100LVEP111FARG | IC CLOCK BUFFER MUX 2:10 32-LQFP |
| LTC1663IMS8#TRPBF | IC D/A CONV 10BIT R-R 8-MSOP |
| NB3N551DG | IC CLK BUFFER 1:4 180MHZ 8-SOIC |
| LTC1663IMS8#TR | IC DAC 10BIT R-R MICROPWR 8MSOP |
| MC100LVEP11DR2G | IC CLOCK BUFFER 1:2 3GHZ 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NB6N11SMNGEVB | 功能描述:BOARD EVAL NB6N11SMNG RoHS:是 类别:编程器，开发系统 >> 评估演示板和套件 系列:* 标准包装:1 系列:PCI Express® (PCIe) 主要目的:接口，收发器，PCI Express 嵌入式:- 已用 IC / 零件:DS80PCI800 主要属性:- 次要属性:- 已供物品:板 |
| NB6N11SMNR2G | 功能描述:时钟缓冲器 NSEB THAI TRANS RoHS:否 制造商:Texas Instruments 输出端数量:5 最大输入频率:40 MHz 传播延迟（最大值）: 电源电压-最大:3.45 V 电源电压-最小:2.375 V 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:LLP-24 封装:Reel |
| NB6N14S | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:3.3 V 1:4 AnyLevel Differential Input to LVDS Fanout Buffer/Translator |
| NB6N14SMNG | 功能描述:时钟缓冲器 HF LVDS FANOUT BUFF/ TRANS RoHS:否 制造商:Texas Instruments 输出端数量:5 最大输入频率:40 MHz 传播延迟（最大值）: 电源电压-最大:3.45 V 电源电压-最小:2.375 V 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:LLP-24 封装:Reel |
| NB6N14SMNGEVB | 功能描述:BOARD EVAL FOR NB6N14SMNG RoHS:是 类别:编程器，开发系统 >> 评估演示板和套件 系列:* 标准包装:1 系列:PCI Express® (PCIe) 主要目的:接口，收发器，PCI Express 嵌入式:- 已用 IC / 零件:DS80PCI800 主要属性:- 次要属性:- 已供物品:板 |
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