参数资料
型号: NB6N11SMNG
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 9/10页
文件大小: 0K
描述: IC CLK BUFFER TRANSLA 1:2 16-QFN
标准包装: 123
系列: AnyLevel™ ECLinPS MAX™
类型: 扇出缓冲器(分配),变换器
电路数: 1
比率 - 输入:输出: 1:2
差分 - 输入:输出: 是/是
输入: CML,LVCMOS,LVDS,LVPECL,LVTTL
输出: LVDS
频率 - 最大: 2GHz
电源电压: 3 V ~ 3.6 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 16-VFQFN 裸露焊盘
供应商设备封装: 16-QFN(3x3)
包装: 管件
产品目录页面: 1115 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: NB6N11SMNG-ND
NB6N11SMNGOS
NB6N11S
http://onsemi.com
8
GND
VCC
GND
LVPECL
Driver
D
50 W*
Zo = 50 W
50 W*
D
NB6N11S
VCC
VTD
GND
VCC
GND
CML
Driver
50 W*
Zo = 50 W
50 W*
NB6N11S
VCC
VTD = VTD = VCC
Figure 11. LVPECL Interface
Figure 12. LVDS Interface
VTD = VTD = VCC 2.0 V
Figure 13. Standard 50 W Load CML Interface
GND
VCC
GND
LVDS
Driver
50 W*
Zo = 50 W
50 W*
NB6N11S
VCC
VTD = VTD
GND
VCC
GND
HSTL
Driver
50 W*
Zo = 50 W
50 W*
NB6N11S
VCC
VTD = VTD = GND or VDD/2
Depending on Driver.
Figure 14. HSTL Interface
GND
VCC
GND
LVCMOS
Driver
50 W*
Zo = 50 W
50 W*
NB6N11S
VCC
VTD = VTD = OPEN
Figure 15. LVCMOS Interface
GND
VCC
GND
LVTTL
Driver
50 W*
Zo = 50 W
50 W*
NB6N11S
VCC
Figure 16. LVTTL Interface
VTD
D
VTD
D
VTD
VCC
D
VTD
D
VTD
D
GND
D
VTD
D
*RTIN, Internal Input Termination Resistor.
2.5 kW
GND
1.5 kW
VTD = VTD = OPEN
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