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参数资料
| 型号： | NBSG11BAEVB |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 8/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | BOARD EVALUATION BBG NBSG11BA |
| 标准包装： | 1 |
| 主要目的： | 计时，时钟分配 |
| 嵌入式： | 否 |
| 已用 IC / 零件： | NBSG11 |
| 已供物品： | 板 |
| 其它名称： | NBSG11BAEVB-ND NBSG11BAEVBOS |
NBSG11
http://onsemi.com
5
Symbol
Characteristic
40°C
25°C
70°C(BGA)/85°C(QFN)**
Unit
Min
Typ
Max
Min
Typ
Max
Min
Typ
Max
IEE
Negative Power Supply Current
45
60
75
45
60
75
45
60
75
mA
VOH
Output HIGH Voltage (Note 8)
1450
1530
1575
1525
1565 1600
1550
1590
1625
mV
VOUTPP Output Amplitude Voltage
350
410
525
350
410
525
350
410
525
mV
VIH
Input HIGH Voltage (SingleEnded)
(Note 10)
VCC
1435
mV
VCC
1000
mV*
VCC
VCC
1435
mV
VCC
1000
mV*
VCC
VCC
1435
mV
VCC
1000
mV*
VCC
V
VIL
Input LOW Voltage (SingleEnded)
(Note 11)
VIH
2.5 V
VCC
1400
mV*
VIH
150 mV
VIH
2.5 V
VCC
1400
mV*
VIH
150
mV
VIH
2.5 V
VCC
1400
mV*
VIH
150
mV
V
VIHCMR
Input HIGH Voltage Common Mode
Range (Differential Configuration)
(Note 9)
1.2
2.5
1.2
2.5
1.2
2.5
V
RTIN
Internal Input Termination Resistor
45
50
55
45
50
55
45
50
55
W
IIH
Input HIGH Current (@ VIH, VIHMAX)
80
150
80
150
80
150
mA
IIL
Input LOW Current (@ VIL, VILMIN)
25
100
25
100
25
100
mA
NOTE: Device will meet the specifications after thermal equilibrium has been established when mounted in a test socket or printed circuit
board with maintained transverse airflow greater than 500 lfpm. Electrical parameters are guaranteed only over the declared
operating temperature range. Functional operation of the device exceeding these conditions is not implied. Device specification limit
values are applied individually under normal operating conditions and not valid simultaneously.
*Typicals used for testing purposes.
**The device packaged in FCBGA16 have maximum temperature specification of 70°C and devices packaged in QFN16 have maximum
temperature specification of 85°C.
7. Input and output parameters vary 1:1 with VCC. VEE can vary +0.125 V to 0.965 V.
8. All loading with 50 W to VCC 1.5 V for BGA package and VCC 2.0 V for QFN package. VOH/VOL measured at VIH/VIL.
9. VIHCMR min varies 1:1 with VEE, VIHCMR max varies 1:1 with VCC. The VIHCMR range is referenced to the most positive side of the differential
input signal.
10.VIH cannot exceed VCC.
11. VIL always ≥ VEE.
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PDF描述 |
|---|---|
| DC-VIDEO-TVP5146N | VIDEO DAUGHTER CARD |
| X90100EVAL | EVALUATION BOARD DIGITAL CAPACIT |
| GCM22DTBH | CONN EDGECARD 44POS R/A .156 SLD |
| GCM22DTBD | CONN EDGECARD 44POS R/A .156 SLD |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NBSG11BAHTBG | 功能描述:时钟驱动器及分配 BBG 1:2 DIFF CLOCK DRIVER RoHS:否 制造商:Micrel 乘法/除法因子:1:4 输出类型:Differential 最大输出频率:4.2 GHz 电源电压-最大: 电源电压-最小:5 V 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Reel |
| NBSG11BAR2 | 功能描述:时钟缓冲器 2.5V/3.3V SiGE 1:2 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 输出端数量:5 最大输入频率:40 MHz 传播延迟（最大值）: 电源电压-最大:3.45 V 电源电压-最小:2.375 V 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:LLP-24 封装:Reel |
| NBSG11MAG | 功能描述:IC CLK BUFFER 1:2 12GHZ 16-FCLGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 时钟/计时 - 时钟缓冲器，驱动器 系列:- 标准包装:1 系列:HiPerClockS™ 类型:扇出缓冲器（分配），多路复用器 电路数:1 比率 - 输入:输出:2:18 差分 - 输入:输出:是/无 输入:CML，LVCMOS，LVPECL，LVTTL，SSTL 输出:LVCMOS，LVTTL 频率 - 最大:250MHz 电源电压:2.375 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:32-LQFP 供应商设备封装:32-TQFP（7x7） 包装:- 其它名称:800-1923-6 |
| NBSG11MN | 功能描述:时钟缓冲器 2.5V/3.3V SiGE 1:2 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 输出端数量:5 最大输入频率:40 MHz 传播延迟（最大值）: 电源电压-最大:3.45 V 电源电压-最小:2.375 V 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:LLP-24 封装:Reel |
| NBSG11MNG | 功能描述:时钟缓冲器 2.5V/3.3V SiGE 1:2 Diff Clock w/RSECL RoHS:否 制造商:Texas Instruments 输出端数量:5 最大输入频率:40 MHz 传播延迟（最大值）: 电源电压-最大:3.45 V 电源电压-最小:2.375 V 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:LLP-24 封装:Reel |
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