参数资料
型号: NCP1030DMR2G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 7/19页
文件大小: 0K
描述: IC CTRLR PWM OTP OVD HV MICRO8
标准包装: 1
输出隔离: 任意一种
频率范围: 260kHz ~ 325kHz
输入电压: 7.6 V ~ 16 V
输出电压: 200V
功率(瓦特): 582mW
工作温度: -40°C ~ 150°C
封装/外壳: 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)
供应商设备封装: Micro8?
包装: 剪切带 (CT)
其它名称: NCP1030DMR2GOSCT
NCP1030, NCP1031
TYPICAL CHARACTERISTICS
13.0
12.5
12.0
11.5
11.0
10.5
10.0
9.5
9.0
8.5
NCP1030
V DRAIN = 48 V
T J = 25 ? C
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
NCP1031
V DRAIN = 48 V
T J = 25 ? C
8.0
0
2
4
6
8
10
10
0
2
4
6
8
10
V CC , SUPPLY VOLTAGE (V)
Figure 4. NCP1030 Startup Current vs. Supply
Voltage
V CC , SUPPLY VOLTAGE (V)
Figure 5. NCP1031 Startup Current vs. Supply
Voltage
20
18
16
NCP1030
V DRAIN = 48 V
20
18
16
V CC = 0 V
NCP1031
V DRAIN = 48 V
14
14
12
10
8
6
4
2
0
V CC = 0 V
V CC = V CC(on) -- 0.2 V
12
10
8
6
4
2
0
V CC = V CC(on) -- 0.2 V
--50
--25
0
25
50
75
100
125
150
--50
--25
0
25
50
75
100
125
150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ? C)
Figure 6. NCP1030 Startup Current vs.
Junction Temperature
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ? C)
Figure 7. NCP1031 Startup Current vs.
Junction Temperature
12
10
8
NCP1030
T J = --40 ? C
T J = 25 ? C
20
18
16
14
12
NCP1031
T J = --40 ? C
T J = 25 ? C
6
10
4
2
T J = 125 ? C
8
6
4
T J = 125 ? C
0
0
25
50
75
100
V CC = V CC(on) -- 0.2 V
125 150 175
200
2
0
0
25
50
75
100
V CC = V CC(on) -- 0.2 V
125 150 175
200
V DRAIN , DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 8. NCP1030 Startup Current vs. Drain
Voltage
http://onsemi.com
7
V DRAIN , DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 9. NCP1031 Startup Current vs. Drain
Voltage
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