参数资料
| 型号： | NCP3020BDR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/23页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC REG CTRLR BUCK PWM VM 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| PWM 型： | 电压模式 |
| 输出数： | 1 |
| 频率 - 最大： | 670kHz |
| 占空比： | 80% |
| 电源电压： | 4.7 V ~ 28 V |
| 降压： | 是 |
| 升压： | 无 |
| 回扫： | 无 |
| 反相： | 无 |
| 倍增器： | 无 |
| 除法器： | 无 |
| Cuk： | 无 |
| 隔离： | 无 |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NCP3020BDR2GOSDKR |
NCP3020A, NCP3020B, NCV3020A, NCV3020B
ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( ? 40 ° C < T J < +125 ° C, V CC = 12 V, for min/max values unless otherwise noted)
Characteristic
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
GATE DRIVERS AND BOOST CLAMP
HSDRV Pullup Resistance
HSDRV Pulldown Resistance
LSDRV Pullup Resistance
LSDRV Pulldown Resistance
HSDRV Falling to LSDRV Rising
Delay
LSDRV Falling to HSDRV Rising
Delay
Boost Clamp Voltage
T J = 25 ° C, V CC = 8 V, V BST = 7.5 V, V SW = GND
100 mA out of HSDR pin
T J = 25 ° C, V CC = 8 V, V BST = 7.5 V, V SW = GND
100 mA into HSDR pin
T J = 25 ° C, V CC = 8 V, V BST = 7.5 V, V SW = GND
100 mA out of LSDR pin
T J = 25 ° C, V CC = 8 V, V BST = 7.5 V, V SW = GND
100 mA into LSDR pin
V IN = 12 V, V SW = GND, V COMP = 1.3 V
V IN = 12 V, V SW = GND, V COMP = 1.3 V
V IN = 12 V, V SW = GND, V COMP = 1.3 V
5.0
2.0
5.0
1.0
50
60
5.5
11
5.0
9.0
3.0
80
80
7.5
20
11.5
16
6.0
110
120
9.6
W
W
W
W
ns
ns
V
THERMAL SHUTDOWN
Thermal Shutdown
Hysteresis
(Notes 4 and 7)
(Notes 4 and 7)
?
?
165
20
?
?
° C
° C
4.
5.
6.
7.
Guaranteed by design.
The voltage sensed across the high side MOSFET during conduction.
This assumes 100 pF capacitance to ground on the COMP Pin and a typical internal R o of > 10 M W .
This is not a protection feature.
http://onsemi.com
5
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| NCP302HSN18T1 | 功能描述:电压监测器/监控器 1.8V Detector RoHS:否 制造商:Texas Instruments 监测电压数:2 监测电压:Adjustable 输出类型:Open Drain 欠电压阈值: 过电压阈值: 准确性:1 % 工作电源电压:1.5 V to 6.5 V 工作电源电流:1.8 uA 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:SON-6 安装风格:SMD/SMT |
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