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参数资料
| 型号： | NCP362AMUTBG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 13/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC OCP/OCP TVS USB POS 10-UDFN |
| 标准包装： | 3,000 |
| 应用： | 过压保护控制器 |
| 电源电压： | 1.2 ~ 20 V |
| 电流 - 电源： | 20µA |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 10-UFDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 10-UDFN（2.5x2） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NCP362
PCB Recommendations
The NCP362 integrates a 500 mA rated PMOS FET, and
the PCB rules must be respected to properly evacuate the
heat out of the silicon. The UDFN PAD1 must be connected
to ground plane to increase the heat transfer if necessary
from an application standpoint. Of course, in any case, this
pad shall be not connected to any other potential.
By increasing PCB area, the R q JA of the package can be
decreased, allowing higher charge current to fill the battery.
Taking into account that internal bondings (wires
between package and silicon) can handle up to 1 A (higher
than thermal capability), the following calculation shows
310
two different example of current capability, depending on
PCB area:
? With 280 ° C/W (without PCB area), allowing DC
current is 500 mA
? With 210 ° C/W (200 mm 2 ), the charge DC current
allows with a 85 ° C ambient temperature is:
I = √ (T J -T A )/(R q JA x R DSON )
I = 800 mA
In every case, we recommend to make thermal
measurement on final application board to make sure of the
final Thermal Resistance.
290
1 oz C.F.
270
250
230
2 oz C.F.
1 oz Sim
2 oz Sim
210
190
175
150
0 25 50 75 100 125 150 175 200 225 250 275 300 325350
COPPER HEAT SPREADING AREA (mm 2 )
Figure 29.
Top View
Figure 30. Demo Board Layout
http://onsemi.com
13
Bottom View
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| NCP367DPMUEETBG | 功能描述:电池管理 OCP OVP USB AND AC/DC RoHS:否 制造商:Texas Instruments 电池类型:Li-Ion 输出电压:5 V 输出电流:4.5 A 工作电源电压:3.9 V to 17 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:VQFN-24 封装:Reel |
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