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参数资料
| 型号： | NCP367OPMUEOTBG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 11/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC VOLT PROTECTION OCP OVP 8DFN |
| 标准包装： | 3,000 |
| 应用： | 手持/移动设备 |
| 输入电压： | 1.2 V ~ 28 V |
| 电源电压： | 1.2 V ~ 28 V |
| 电流 - 电源： | 42µA |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-VFDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-DFN（2x2.2） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NCP367
240
220
200
180
160
140
120
100
Theta JA curve with PCB cu thk 1.0 oz
Theta JA curve with PCB cu thk 2.0 oz
Power curve with PCB cu thk 2.0 oz
Power curve with PCB cu thk 1.0 oz
T_ambient
25 ° C
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
0.6
80
0
100
200
300
400
500
600
0.5
700
COPPER HEAT SPREADER AREA
(mm 2 )
Figure 14.
Internal PMOS FET
NCP367 includes an internal PMOS FET to protect the
systems, connected on OUT pin, from positive
over ? voltage. Regarding electrical characteristics, the
R DS(on) , during normal operation, will create low losses on
V out pin versus V in , due to very low R DS(on) .
100
90
80
70
60
50
40
30
ESD Tests
NCP367 fully support the IEC61000 ? 4 ? 2, level 4 (Input
pin, 1 m F mounted on board). That means, in Air condition,
Vin has a ± 15 kV ESD protected input. In Contact condition,
Vin has ± 8 kV ESD protected input. Please refer to Figure 16
to see the IEC 61000 ? 4 ? 2 electrostatic discharge waveform.
20
? 50
? 25
0
25 50 75
100
125
TEMPERATURE ( ° C)
Figure 15. Typical R DS(on) versus Temperature
Figure 16. IEC 61000 ? 4 ? 2 Electrostatic Discharge
http://onsemi.com
11
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| NCP3712ASNT1G | 功能描述:电源开关 IC - 配电 200mA High Side Sw With Flexible OVP RoHS:否 制造商:Exar 输出端数量:1 开启电阻（最大值）:85 mOhms 开启时间（最大值）:400 us 关闭时间（最大值）:20 us 工作电源电压:3.2 V to 6.5 V 电源电流（最大值）: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-5 |
| NCP3712ASNT3 | 功能描述:电源开关 IC - 配电 200mA High Side Sw RoHS:否 制造商:Exar 输出端数量:1 开启电阻（最大值）:85 mOhms 开启时间（最大值）:400 us 关闭时间（最大值）:20 us 工作电源电压:3.2 V to 6.5 V 电源电流（最大值）: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-5 |
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