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参数资料
| 型号： | NCP5104DR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 13/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRIVER HALF BRIDGE HV 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 配置： | 半桥 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 620ns |
| 电流 - 峰： | 250mA |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1127 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NCP5104DR2GOSDKR |
NCP5104
CHARACTERIZATION CURVES
25
20
15
C LOAD = 1 nF/Q = 15 nC
40
35
30
25
C LOAD = 2.2 nF/Q = 33 nC
R GATE = 0 R
R GATE = 10 R
R GATE = 22 R
20
10
15
5.0
R GATE = 0 R to 22 R
10
5.0
0
0
100
200
300
400
500
600
0
0
100
200 300 400 500
600
SWITCHING FREQUENCY (kHz)
Figure 44. I CC1 Consumption vs. Switching
Frequency with 15 nC Load on Each Driver @
V CC = 15 V
SWITCHING FREQUENCY (kHz)
Figure 45. I CC1 Consumption vs. Switching
Frequency with 33 nC Load on Each Driver @
V CC = 15 V
60
50
40
30
20
C LOAD = 3.3 nF/Q = 50 n C
R GATE = 10 R
R GATE = 0 R
R GATE = 22 R
80
70
60
50
40
30
C LOAD = 6.6 nF/Q = 100 n C
R GATE = 22 R
R GATE = 0 R
R GATE = 10 R
20
10
10
0
0
100
200
300
400
500
600
0
0
100
200 300 400 500
600
SWITCHING FREQUENCY (kHz)
Figure 46. I CC1 Consumption vs. Switching
Frequency with 50 nC Load on Each Driver @
V CC = 15 V
SWITCHING FREQUENCY (kHz)
Figure 47. I CC1 Consumption vs. Switching
Frequency with 100 nC Load on Each Driver @
V CC = 15 V
http://onsemi.com
13
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