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参数资料
| 型号： | NCP5104DR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRIVER HALF BRIDGE HV 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 配置： | 半桥 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 620ns |
| 电流 - 峰： | 250mA |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1127 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NCP5104DR2GOSDKR |
NCP5104
IN
SD
DRV_HI
DRV_LO
Figure 4. Input/Output Timing Diagram
Note: DRV_HI output is in phase with the input
IN
50%
50%
ton
tr
toff
tf
DRV_HI
Dead time
10%
90%
90%
10%
toff
tf
Dead time
tr
DRV_LO
90%
ton
90%
10%
Ton = Toff + DT
Figure 5. Timing Definitions
http://onsemi.com
5
10%
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| AIAP-02-181-K | INDUCTOR 180UH 10% .95A |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NCP5104PG | 功能描述:功率驱动器IC NCP5104 RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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| NCP5106ADR2G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:IC DUAL IGBT DRIVER |
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