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参数资料
| 型号： | NCP5104DR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 8/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRIVER HALF BRIDGE HV 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 配置： | 半桥 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 620ns |
| 电流 - 峰： | 250mA |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1127 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NCP5104DR2GOSDKR |
NCP5104
CHARACTERIZATION CURVES
160
160
140
120
100
80
60
40
20
t r Low Side
t r High Side
140
120
100
80
60
40
20
t r High Side
t r Low Side
0
10
12
14 16
18
20
0
? 40
? 20
0
20 40 60 80
100
120
80
V CC , VOLTAGE (V)
Figure 14. Turn ON Risetime vs. Supply
Voltage (V CC = V BOOT )
60
TEMPERATURE ( ° C)
Figure 15. Turn ON Risetime vs. Temperature
70
60
50
t f High Side
50
40
30
t f Low Side
t f High Side
40
30
20
t f Low Side
20
10
10
0
10
12
14 16
18
20
0
? 40
? 20
0
20 40 60 80
100
120
20
15
V CC , VOLTAGE (V)
Figure 16. Turn OFF Falltime vs. Supply
Voltage (V CC = V BOOT )
600
TEMPERATURE ( ° C)
Figure 17. Turn OFF Falltime vs. Temperature
10
5
0
? 5
Delay Matching 1
550
500
? 10
? 15
? 20
Delay Matching 2
450
400
? 40
? 20
0
20
40
60
80
100
120
? 40
? 20
0
20
40
60
80
100
120
TEMPERATURE ( ° C)
Figure 18. Propagation Delay Matching
Between High Side and Low Side Driver vs.
Temperature
http://onsemi.com
8
TEMPERATURE ( ° C)
Figure 19. Dead Time vs. Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AIAP-02-122-K | INDUCTOR 1200UH 10% .35A |
| AIAP-02-561-K | INDUCTOR 560UH 10% .54A |
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| HCM10DSEI-S243 | CONN EDGECARD 20POS .156 EYELET |
| AIAP-02-181-K | INDUCTOR 180UH 10% .95A |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NCP5104PG | 功能描述:功率驱动器IC NCP5104 RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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| NCP5106ADR2G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:IC DUAL IGBT DRIVER |
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