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参数资料
| 型号： | NCP5104PG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 12/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRIVER HALF BRIDGE HV 8-DIP |
| 标准包装： | 50 |
| 配置： | 半桥 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 620ns |
| 电流 - 峰： | 250mA |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 8-PDIP |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1127 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NCP5104PG-ND NCP5104PGOS |
NCP5104
CHARACTERIZATION CURVES
100
80
60
40
20
100
80
60
40
20
0
0
4.0
8.0
12
16
20
0
? 40
? 20
0
20
40
60
80
100
120
240
200
160
120
80
40
V BOOT , VOLTAGE (V)
Figure 38. V BOOT Supply Current vs. Bootstrap
Supply Voltage (V CC = V BOOT )
400
350
300
250
200
150
100
50
TEMPERATURE ( ° C)
Figure 39. V BOOT Supply Current vs.
Temperature
0
0
4.0
8.0
12
16
20
0
? 40
? 20
0
20
40
60
80
100
120
10
9.8
9.6
V CC , VOLTAGE (V)
Figure 40. V CC Supply Current vs. V CC Supply
Voltage (V CC = V BOOT )
9.0
8.8
8.6
TEMPERATURE ( ° C)
Figure 41. V CC Supply Current vs. Temperature
9.4
9.2
8.4
8.2
V CC UVLO Shutdown
9.0
8.8
8.6
8.4
8.2
V CC UVLO Startup
V BOOT UVLO Startup
8.0
7.8
7.6
7.4
7.2
V BOOT UVLO Shutdown
8.0
? 40
? 20
0
20
40
60
80
100
120
7.0
? 40
? 20
0
20
40
60
80
100
120
TEMPERATURE ( ° C)
Figure 42. UVLO Startup Voltage vs.
Temperature
http://onsemi.com
12
TEMPERATURE ( ° C)
Figure 43. UVLO Shutdown Voltage vs.
Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T95S684K035ESAL | CAP TANT 0.68UF 35V 10% 1507 |
| UB30DCT-E3/4W | DIODE 30A 200V 25NS DUAL |
| UB30CCT-E3/4W | DIODE 30A 150V 25NS DUAL |
| F950J476KAAAQ2 | CAP TANT 47UF 6.3V 10% 1206 |
| A7OOB-0910M | CABLE D-SUB-AFN09B/AE09M/AFN09B |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NCP5106 AT38 WAF | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| NCP5106A | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:High Voltage, High and Low Side Driver |
| NCP5106ADR2G | 功能描述:功率驱动器IC HIGH VOLT MOSFET DR LO MOSFET IGBT DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| NCP5106ADR2G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:IC DUAL IGBT DRIVER |
| NCP5106APG | 功能描述:功率驱动器IC HIGH VOLT MOSFET DR LO MOSFET IGBT DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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