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参数资料
| 型号： | NCP5111DR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 13/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRIVER HI/LOW SIDE HV 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 配置： | 半桥 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 750ns |
| 电流 - 峰： | 250mA |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NCP5111DR2GOSDKR |
NCP5111
PACKAGE DIMENSIONS
8 LEAD PDIP
CASE 626 ? 05
ISSUE N
NOTE 8
A1
D1
8
1
e/2
e
D
TOP VIEW
5
4
b2
A
E1
B
A2
A
L
8X b
H
NOTE 3
SEATING
PLANE
C
E
c
END VIEW
WITH LEADS CONSTRAINED
NOTE 5
M
eB
END VIEW
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ASME Y14.5M, 1994.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCHES.
3. DIMENSIONS A, A1 AND L ARE MEASURED WITH THE PACK-
AGE SEATED IN JEDEC SEATING PLANE GAUGE GS ? 3.
4. DIMENSIONS D, D1 AND E1 DO NOT INCLUDE MOLD FLASH
OR PROTRUSIONS. MOLD FLASH OR PROTRUSIONS ARE NOT
TO EXCEED 0.10 INCH.
5. DIMENSION E IS MEASURED AT A POINT 0.015 BELOW DATUM
PLANE H WITH THE LEADS CONSTRAINED PERPENDICULAR
TO DATUM C.
6. DIMENSION E3 IS MEASURED AT THE LEAD TIPS WITH THE
LEADS UNCONSTRAINED.
7. DATUM PLANE H IS COINCIDENT WITH THE BOTTOM OF THE
LEADS, WHERE THE LEADS EXIT THE BODY.
8. PACKAGE CONTOUR IS OPTIONAL (ROUNDED OR SQUARE
CORNERS).
INCHES
MILLIMETERS
DIM
MIN MAX
MIN MAX
???? 0.210
??? 5.33
A
0.015 ????
0.38 ???
A1
0.115 0.195
2.92 4.95
A2
0.014 0.022
0.35 0.56
b
0.060 TYP
1.52 TYP
b2
0.008 0.014
0.20 0.36
C
0.355 0.400
9.02 10.16
D
0.005 ????
0.13 ???
D1
0.300 0.325
7.62 8.26
E
0.240 0.280
6.10 7.11
E1
0.100 BSC
2.54 BSC
e
???? 0.430
??? 10.92
eB
0.115 0.150
2.92 3.81
L
???? 10 °
??? 10 °
M
SIDE VIEW
0.010
M
C A
M
B
M
NOTE 6
http://onsemi.com
13
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| NCP51199PDR2G | 功能描述:线性稳压器 - 标准 DDR 2Amp Source Sink VTT Termination Reg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 输出类型: 极性: 输出电压:1.8 V 输出电流:150 mA 负载调节: 最大输入电压:5.5 V 线路调整率: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-323-5L |
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