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参数资料
| 型号： | NCP5181PG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DVR HIGH VOLT 8-DIP |
| 标准包装： | 50 |
| 配置： | 半桥 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 100ns |
| 电流 - 峰： | 1.4A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 8-PDIP |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | NCP5181PG-ND NCP5181PGOS |
NCP5181
V bulk
C1
V CC
V CC
GND
SG3526
MC34025
TL594
C3
GND
5
1
2
3
D4
U1
VBOOT
IN_HI DRV_HI
IN_LO Bridge
GND DRV_LO
8
7
6
4
C4
Q1
Q2
C5
T1
D1
D2
L1
C3
Out+
Out ?
GND
GND
NCP51XX
C6
GND
U2
GND
Figure 1. Typical Application
D3
R1
V CC
V CC
UV
DETECT
VBOOT
IN_HI
PULSE
TRIGGER
LEVEL
SHIFTER
S
R
Q
Q
DRV_HI
GND
IN_LO
GND
GND
GND
GND
DELAY
Figure 2. Detailed Block Diagram
http://onsemi.com
2
UV
DETECT
BRIDGE
V CC
DRV_LO
GND
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PDF描述 |
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参数描述 |
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