参数资料
型号: NCP5181PG
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 7/12页
文件大小: 0K
描述: IC MOSFET DVR HIGH VOLT 8-DIP
标准包装: 50
配置: 半桥
输入类型: 非反相
延迟时间: 100ns
电流 - 峰: 1.4A
配置数: 1
输出数: 2
高端电压 - 最大(自引导启动): 600V
电源电压: 10 V ~ 20 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 通孔
封装/外壳: 8-DIP(0.300",7.62mm)
供应商设备封装: 8-PDIP
包装: 管件
其它名称: NCP5181PG-ND
NCP5181PGOS
NCP5181
TYPICAL CHARACTERISTICS
40
35
35
30
25
20
15
t r High Side
t r Low Side
30
25
20
15
t r Low Side
t r High Side
10
5.0
10
5.0
0
? 40
? 20
0
20
40
60
80
100
120
0
10
12
14
16
18
20
30
TEMPERATURE ( ° C)
Figure 13. Turn ? on Rise Time vs. Temperature
20
SUPPLY VOLTAGE; V CC = V boot (V)
Figure 14. Turn ? on Rise Time vs. V CC Voltage
(V CC = V boot )
25
20
15
10
5.0
t f Low Side
t f High Side
18
16
14
12
10
8.0
6.0
4.0
2.0
t f Low Side
t f High Side
0
? 40
? 20
0
20
40
60
80
100
120
0
10
12
14
16
18
20
TEMPERATURE ( ° C)
Figure 15. Turn ? off Fall Time vs. Temperature
40
35
30
25
20
15
10
5
SUPPLY VOLTAGE; V CC = V boot (V)
Figure 16. Turn ? off Fall Time vs. V CC Voltage
(V CC = V boot )
0
? 40
? 20
0
20
40
60
80
100
120
TEMPERATURE ( ° C)
Figure 17. Propagation Delay Matching
Between High Side and Low Side Driver
http://onsemi.com
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